电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

HYS64V2000GD-10

产品描述Synchronous DRAM Module, 2MX64, 8ns, CMOS, SODIMM-144
产品类别存储    存储   
文件大小219KB,共19页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

HYS64V2000GD-10概述

Synchronous DRAM Module, 2MX64, 8ns, CMOS, SODIMM-144

HYS64V2000GD-10规格参数

参数名称属性值
厂商名称Infineon(英飞凌)
零件包装代码MODULE
包装说明DIMM, DIMM144,32
针数144
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
访问模式DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间8 ns
其他特性AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)100 MHz
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-XDMA-N144
内存密度134217728 bit
内存集成电路类型SYNCHRONOUS DRAM MODULE
内存宽度64
功能数量1
端口数量1
端子数量144
字数2097152 words
字数代码2000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织2MX64
输出特性3-STATE
封装主体材料UNSPECIFIED
封装代码DIMM
封装等效代码DIMM144,32
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
刷新周期4096
自我刷新YES
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式NO LEAD
端子节距0.8 mm
端子位置DUAL
Base Number Matches1

文档预览

下载PDF文档
3.3V SDRAM Modules
144 pin SO-DIMM SDRAM Modules
16MB, 32MB, 64MB & 128 MB density
HYS64Vx00(2)0G(C)D-10
144 Pin JEDEC Standard, 8 Byte Small Outline Dual-In-Line Synchronous DRAM Modules
for PC notebook applications
One bank 2M x 64, 4M x 64, 8M x 64 and 16M x 64 non-parity module organisation
Two bank 16M x 64 organisation
Performance:
-10
PC66
f
CK
t
AC
Clock frequency (max.)
Clock access time
CAS latency = 2 & 3
66
8
Units
MHz
ns
Single +3.3V(± 0.3V ) power supply
Programmable CAS Latency, Burst Length and Wrap Sequence
(Sequential & Interleave)
Auto Refresh (CBR) and Self Refresh
Decoupling capacitors mounted on substrate
All inputs, outputs are LVTTL compatible
Serial Presence Detect with E
2
PROM
4096 refresh cycles every 64 ms
Gold contact pad
HYS64V8000GCD and HYS64V160(2)0GCD in COB techniques with 1” height only
This SDRAM product familiy is intended to be fully pin and architecture compatible with the 144
pin SO-DIMM DRAM module family.
Semiconductor Group
1
7.98

HYS64V2000GD-10相似产品对比

HYS64V2000GD-10
描述 Synchronous DRAM Module, 2MX64, 8ns, CMOS, SODIMM-144
厂商名称 Infineon(英飞凌)
零件包装代码 MODULE
包装说明 DIMM, DIMM144,32
针数 144
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
访问模式 DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间 8 ns
其他特性 AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK) 100 MHz
I/O 类型 COMMON
JESD-30 代码 R-XDMA-N144
内存密度 134217728 bit
内存集成电路类型 SYNCHRONOUS DRAM MODULE
内存宽度 64
功能数量 1
端口数量 1
端子数量 144
字数 2097152 words
字数代码 2000000
工作模式 SYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C
组织 2MX64
输出特性 3-STATE
封装主体材料 UNSPECIFIED
封装代码 DIMM
封装等效代码 DIMM144,32
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源 3.3 V
认证状态 Not Qualified
刷新周期 4096
自我刷新 YES
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 3 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V
表面贴装 NO
技术 CMOS
温度等级 COMMERCIAL
端子形式 NO LEAD
端子节距 0.8 mm
端子位置 DUAL
Base Number Matches 1
CSocket类在模拟器中的使用
有什么需要特别注意的事项吗? 我将VC下的代码(客户端和服务器端)中的客户端移植到EVC4中,移植的过程主要是处理字符串:Unicode和char。与PC上运行的服务器端进行通讯。 客户端与服务器端 ......
allkity 嵌入式系统
vhdl仿真的问题
程序中一个STD_LOGIC型信号仿真时结果和设定的值是反的,但是用一个output输出引出,再仿真,该output的值和设定的值是一致的,请问这是什么原因造成的? Sig_init_rd_en:process(Clk_rd_sig ......
惆怅南楼 嵌入式系统
xilinx自带的FFT核,输入数据为什么还有实部和虚部?
如题,恳请大牛指点迷津。 ...
inner_peace FPGA/CPLD
天线选择指南--TI无线资料
这份资料使用说明是在近距离设备srd应用中选择天线时需要考虑的重要参数。文章涉及到辐射图、增益、阻抗匹配、带宽、大小和成本等参数。还介绍了不同天线的优点和缺点。文章的最后有关参考文献 ......
qwqwqw2088 无线连接
循环设计
循环设计的概念来完成各个阶段的工作。一般的可以分成四个步骤:设计,校验,存档和测试。 1)设计分析:从设计目标开始,分析设计要求后实施设计过程。设计的过程,往往是通过文件的形式来体现 ......
yulzhu 模拟电子
单击 "Open Design" 不能进入设计界面,求解。
如附图所示...
liu419563856 模拟与混合信号

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 1150  1191  160  183  2878  3  50  48  41  45 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved