电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
 PDF数据手册

V58C2128404SBLF6I

产品描述DDR DRAM, 32MX4, 0.7ns, CMOS, PBGA60, ROHS COMPLIANT, MO-233, FBGA-60
产品类别存储    存储   
文件大小915KB,共60页
制造商ProMOS Technologies Inc
标准  
下载文档 详细参数 全文预览

V58C2128404SBLF6I概述

DDR DRAM, 32MX4, 0.7ns, CMOS, PBGA60, ROHS COMPLIANT, MO-233, FBGA-60

V58C2128404SBLF6I规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称ProMOS Technologies Inc
零件包装代码BGA
包装说明TBGA,
针数60
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
访问模式FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间0.7 ns
其他特性AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码R-PBGA-B60
长度13 mm
内存密度134217728 bit
内存集成电路类型DDR DRAM
内存宽度4
功能数量1
端口数量1
端子数量60
字数33554432 words
字数代码32000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织32MX4
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TBGA
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, THIN PROFILE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.2 mm
自我刷新YES
最大供电电压 (Vsup)2.7 V
最小供电电压 (Vsup)2.3 V
标称供电电压 (Vsup)2.5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子形式BALL
端子节距1 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度8 mm
Base Number Matches1

推荐资源

热门活动更多

热门文章更多

技术资料推荐更多

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 53  347  472  1287  1492 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved