SKM200GB12T4D: 产品描述Insulated Gate Bipolar Transistor, 285A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, CASE D56, SEMITRANS 3, 7 PIN; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小795KB，共5页; 制造商SEMIKRON; 官网地址http://www.semikron.com

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SKM200GB12T4D概述

Insulated Gate Bipolar Transistor, 285A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, CASE D56, SEMITRANS 3, 7 PIN

SKM200GB12T4D规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	SEMIKRON
零件包装代码	DO-204
包装说明	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7
针数	2
制造商包装代码	CASE D56
Reach Compliance Code	compliant
其他特性	UL RECOGNIZED
外壳连接	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)	285 A
集电极-发射极最大电压	1200 V
配置	SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
JESD-30 代码	R-XUFM-X7
元件数量	2
端子数量	7
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT
极性/信道类型	N-CHANNEL
认证状态	Not Qualified
表面贴装	NO
端子形式	UNSPECIFIED
端子位置	UPPER
晶体管应用	POWER CONTROL
晶体管元件材料	SILICON
标称断开时间 (toff)	495 ns
标称接通时间 (ton)	225 ns
Base Number Matches	1

SKM 200GB12T4D

Absolute Maximum Ratings

Symbol Conditions

IGBT

Values

Units

SEMITRANS

IGBT4 Modules

SKM 200GB12T4D

Inverse Diode

Module

Preliminary Data

Features

Characteristics

Symbol Conditions

IGBT

min.

typ.

max.

Units

Typical Applications

Remarks

07-02-2008 LAN

器件捷径: L0 L1 L2 L3 L4 L5 L6 L7 L8 L9 LA LB LC LD LE LF LG LH LI LJ LK LL LM LN LO LP LQ LR LS LT LU LV LW LX LY LZ M0 M1 M2 M3 M4 M5 M6 M7 M8 M9 MA MB MC MD ME MF MG MH MI MJ MK ML MM MN MO MP MQ MR MS MT MU MV MW MX MY MZ N0 N1 N2 N3 N4 N5 N6 N7 N8 NA NB NC ND NE NF NG NH NI NJ NK NL NM NN NO NP NQ NR NS NT NU NV NX NZ O0 O1 O2 O3 OA OB OC OD OE OF OG OH OI OJ OK OL OM ON OP OQ OR OS OT OV OX OY OZ P0 P1 P2 P3 P4 P5 P6 P7 P8 P9 PA PB PC PD PE PF PG PH PI PJ PK PL PM PN PO PP PQ PR PS PT PU PV PW PX PY PZ Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q8 Q9 QA QB QC QE QF QG QH QK QL QM QP QR QS QT QV QW QX QY R0 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R8 R9 RA RB RC RD RE RF RG RH RI RJ RK RL RM RN RO RP RQ RR RS RT RU RV RW RX RY RZ