Selection Guide
RF-Transistors and MMICs
MOS Field-Effect Transistors. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2
Dual-Gate GaAs FETs . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3
GaAs FETs . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2
AIGaAs/GaAs HEMTs . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3
GaAs Power FETs . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3
GaAs Broadband Amplifiers. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
Low-Noise Preamplifiers for Mobile Communications (PCN, DECT, GSM) . . . . . . . . . . . . . 4
Integrated Power Amplifiers for Mobile Communications . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
Integrated Multi Mode and Dual Band Power Amplifiers for Mobile Communications. . . . . . 5
Variable Gain Amplifiers for Mobile Communications . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5
Mixer . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
RF-SPDT Switch . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6
RF Transistors . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6
SIEGET
®
25-RF-BIPOLAR-Transistors. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
SIEGET
®
45-RF-BIPOLAR-Transistors. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
RF-Dual Transistor Arrays . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
Si MMICs Broadband Amplifiers . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10
Si MMICs in SIEGET
®
25-Technology . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10
Active Bias Controller. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10
Bipolar-Transistor Characteristic Curves . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11
AF-Transistors
General Purpose Transistors . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17
Double Transistor Arrays . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15
Double Transistors. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16
Low-Noise Transistors . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16
Digital Transistors . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17
Double Digital Transistors Array . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17
Switching Transistors. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20
Darlington Transistors . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17
High-Voltage Transistors . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17
RF-Diodes
Varactor (Tuning) Diodes. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24
Varactor (Tuning) Diodes Characteristic Curves . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25
PIN Diodes (General Purpose, Switching) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 26
Electrostatic-Discharge-Protection Diode . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27
AF-Schottky Diodes/RF-Schottky Diodes
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 29
Schottky Detector Diodes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32
Schottky-Diodes Characteristic Curves . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32
AF-Diodes
General Purpose, Switching and Rectifier Diodes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 33
Diode Arrays . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 34
AF-Low-Leakage Diodes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 34
Bridge Rectifier . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 34
Leaded Components
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35
Semiconductor Group
1
1998-11-01
Selection Guide
GaAs FETs
Type
Description
Characteristics
(
T
A
= 25
°C)
Package
I
DS
mA
CFY 30
CFY 35-20
CFY 35-23
Low Noise, High Gain GaAs
FET
Low Noise, High Gain GaAs
FET
Low Noise, High Gain GaAs
FET
15
10
10
V
DS
V
3.5
2.5
2.5
f
GHz
4
12
12
g
m
mS
30
30
30
F
dB
1.4
1.9
2.2
G
a
dB
11.5
8.5
8.5
SOT-143
MW-4
MW-4
AIGaAs/GaAs HEMTs
Type
Description
Characteristics
(
T
A
= 25
°C)
Package
I
DS
mA
CFY 77-08
Low Noise, High Gain HEMT 15
for front end amplifiers up to
20 GHz
Low Noise, High Gain HEMT 15
for front end amplifiers up to
20 GHz
V
DS
V
2
f
GHz
12
g
m
mS
65
F
dB
0.7
G
a
dB
10.5
MW-4
CFY 77-10
2
12
65
0.9
10
MW-4
GaAs Power FETs
Type
Description
Characteristics
(
T
A
= 25
°C)
Package
I
DS
mA
CLY 2
CLY 5
CLY 10
CLY 15*
*
Power Ampl. for frequencies 180
up to 3 GHz
Power Ampl. for frequencies 350
up to 2.5 GHz
Power Ampl. for frequencies 700
up to 2.5 GHz
Power Ampl. for frequencies 1400
up to 2.5 GHz
V
DS
V
3
3
3
3
f
GHz
1.8
1.8
1.8
1.8
G
p
dB
14.5
9.5
8
6
P
-1dB
dBm
23.5
26.5
28.5
31.5
MW-6
SOT-223
SOT-223
SOT-223
Pulsed operation
Semiconductor Group
3
1998-11-01