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SMBT3906

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小455KB,共37页
制造商SIEMENS
官网地址http://www.infineon.com/
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SMBT3906概述

Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,

SMBT3906规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称SIEMENS
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)0.2 A
集电极-发射极最大电压40 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)80
JESD-30 代码R-PDSO-G3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)0.33 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)250 MHz
最大关闭时间(toff)300 ns
最大开启时间(吨)70 ns
VCEsat-Max0.4 V
Base Number Matches1

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1998-11-01

SMBT3906相似产品对比

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描述 Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Narrow Band High Power Amplifier, 880MHz Min, 915MHz Max, Tubular Vitreous Enamelled Wirewound Resistors Double Balanced Mixer, 500MHz Min, 2500MHz Max Down Converter, 17dBm Output Power-Max Diversity Switch, 500MHz Min, 3000MHz Max Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 35V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon Mixer Diode, Silicon Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon Rectifier Diode, Schottky, 2 Element, 0.04A, 40V V(RRM), Silicon
厂商名称 SIEMENS SIEMENS - SIEMENS SIEMENS SIEMENS SIEMENS SIEMENS SIEMENS SIEMENS
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