IS27HC010-30CWI概述

UVPROM, 128KX8, 30ns, CMOS, CDIP32, 0.600 INCH, WINDOWED, CERDIP-32

IS27HC010-30CWI规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Integrated Silicon Solution ( ISSI )
零件包装代码	DIP
包装说明	0.600 INCH, WINDOWED, CERDIP-32
针数	32
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
最长访问时间	30 ns
JESD-30 代码	R-GDIP-T32
JESD-609代码	e0
长度	41.91 mm
内存密度	1048576 bit
内存集成电路类型	UVPROM
内存宽度	8
功能数量	1
端子数量	32
字数	131072 words
字数代码	128000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	128KX8
输出特性	3-STATE
封装主体材料	CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码	WDIP
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE, WINDOW
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	5.715 mm
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
宽度	15.24 mm
Base Number Matches	1

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	IS27HC010-30CWI	IS27HC010-70CWI	IS27HC010-30CW	IS27HC010-30WI	IS27HC010-45WI	IS27HC010-70WI	IS27HC010-45CW	IS27HC010-45CWI	IS27HC010-70CW
描述	UVPROM, 128KX8, 30ns, CMOS, CDIP32, 0.600 INCH, WINDOWED, CERDIP-32	UVPROM, 128KX8, 70ns, CMOS, CDIP32, 0.600 INCH, WINDOWED, CERDIP-32	UVPROM, 128KX8, 30ns, CMOS, CDIP32, 0.600 INCH, WINDOWED, CERDIP-32	OTP ROM, 128KX8, 30ns, CMOS, PDIP32, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32	OTP ROM, 128KX8, 45ns, CMOS, PDIP32, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32	OTP ROM, 128KX8, 70ns, CMOS, PDIP32, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32	UVPROM, 128KX8, 45ns, CMOS, CDIP32, 0.600 INCH, WINDOWED, CERDIP-32	UVPROM, 128KX8, 45ns, CMOS, CDIP32, 0.600 INCH, WINDOWED, CERDIP-32	UVPROM, 128KX8, 70ns, CMOS, CDIP32, 0.600 INCH, WINDOWED, CERDIP-32
是否无铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
零件包装代码	DIP	DIP	DIP	DIP	DIP	DIP	DIP	DIP	DIP
包装说明	0.600 INCH, WINDOWED, CERDIP-32	0.600 INCH, WINDOWED, CERDIP-32	0.600 INCH, WINDOWED, CERDIP-32	0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32	0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32	0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32	0.600 INCH, WINDOWED, CERDIP-32	0.600 INCH, WINDOWED, CERDIP-32	0.600 INCH, WINDOWED, CERDIP-32
针数	32	32	32	32	32	32	32	32	32
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
最长访问时间	30 ns	70 ns	30 ns	30 ns	45 ns	70 ns	45 ns	45 ns	70 ns
JESD-30 代码	R-GDIP-T32	R-GDIP-T32	R-GDIP-T32	R-PDIP-T32	R-PDIP-T32	R-PDIP-T32	R-GDIP-T32	R-GDIP-T32	R-GDIP-T32
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0
长度	41.91 mm	41.91 mm	41.91 mm	41.91 mm	41.91 mm	41.91 mm	41.91 mm	41.91 mm	41.91 mm
内存密度	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bit
内存集成电路类型	UVPROM	UVPROM	UVPROM	OTP ROM	OTP ROM	OTP ROM	UVPROM	UVPROM	UVPROM
内存宽度	8	8	8	8	8	8	8	8	8
功能数量	1	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	32	32	32	32	32	32	32	32	32
字数	131072 words	131072 words	131072 words	131072 words	131072 words	131072 words	131072 words	131072 words	131072 words
字数代码	128000	128000	128000	128000	128000	128000	128000	128000	128000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C	85 °C	70 °C	85 °C	85 °C	85 °C	70 °C	85 °C	70 °C
最低工作温度	-40 °C	-40 °C	-	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-	-40 °C	-
组织	128KX8	128KX8	128KX8	128KX8	128KX8	128KX8	128KX8	128KX8	128KX8
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	CERAMIC, GLASS-SEALED	CERAMIC, GLASS-SEALED	CERAMIC, GLASS-SEALED	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	CERAMIC, GLASS-SEALED	CERAMIC, GLASS-SEALED	CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码	WDIP	WDIP	WDIP	DIP	DIP	DIP	WDIP	WDIP	WDIP
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE, WINDOW	IN-LINE, WINDOW	IN-LINE, WINDOW	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE, WINDOW	IN-LINE, WINDOW	IN-LINE, WINDOW
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	5.715 mm	5.715 mm	5.715 mm	4.572 mm	4.572 mm	4.572 mm	5.715 mm	5.715 mm	5.715 mm
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	COMMERCIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	COMMERCIAL	INDUSTRIAL	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
宽度	15.24 mm	15.24 mm	15.24 mm	15.24 mm	15.24 mm	15.24 mm	15.24 mm	15.24 mm	15.24 mm
厂商名称	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	-	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )

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