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RD5.1SLN

产品描述Zener Diode, 5.1V V(Z), 5.41%, 0.2W, Silicon, Unidirectional
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小56KB,共8页
制造商NEC(日电)
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RD5.1SLN概述

Zener Diode, 5.1V V(Z), 5.41%, 0.2W, Silicon, Unidirectional

RD5.1SLN规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称NEC(日电)
包装说明R-PDSO-G2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
其他特性LOW NOISE
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型ZENER DIODE
JESD-30 代码R-PDSO-G2
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量2
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散0.2 W
认证状态Not Qualified
标称参考电压5.1 V
表面贴装YES
技术ZENER
端子面层TIN LEAD
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
最大电压容差5.41%
工作测试电流0.5 mA
Base Number Matches1

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DATA SHEET
ZENER DIODES
RD4.7SL to RD39SL
ZENER DIODES
200 mW 2 PIN SUPER MINI MOLD
DESCRIPTION
Type RD4.7SL to RD39SL Series are 2 PIN Super Mini
Mold Package zener diodes possessing an allowable power
dissipation of 200 mW featuring low noise and sharp break-
down characteristic. They are intended for use in audio
equipment, instrument equipment.
PACKAGE DIMENSIONS
(in millimeters)
2.5±0.15
1.7±0.1
FEATURES
• Low Noise
• Sharp Breakdown characteristic.
• Vz: Applied E24 standard.
0.19
0.11
+0.05
–0.01
Cathode
Indication
APPLICATIONS
Circuits for Constant Voltage, Constant Current, Waveform
0±0.05
Clipper, Surge absorber, etc.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
A
= 25 ˚C)
Power Dissipation
Forward Current
Reverse Surge Power
Junction Temperature
Storage Temperature
P
I
F
P
RSM
T
j
T
stg
200 mW
100 mA
2.2W (at t=10
µ
s/1 pulse) Show fig. 8
150
°C
–55 to +150
°C
Document No. D11445EJ2V0DS00 (2nd edition)
Date Published December 1998 N CP(K)
Printed in Japan
©
0.9±0.1
0.3±0.05
1.25±0.1
1996
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