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IDT72021S35J

产品描述FIFO, 1KX9, 35ns, Asynchronous, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32
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文件大小408KB,共14页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
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IDT72021S35J概述

FIFO, 1KX9, 35ns, Asynchronous, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32

IDT72021S35J规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码QFJ
包装说明PLASTIC, LCC-32
针数32
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
最长访问时间35 ns
其他特性RETRANSMIT
最大时钟频率 (fCLK)22.2 MHz
周期时间45 ns
JESD-30 代码R-PQCC-J32
JESD-609代码e0
内存密度9216 bit
内存集成电路类型OTHER FIFO
内存宽度9
湿度敏感等级1
功能数量1
端子数量32
字数1024 words
字数代码1000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织1KX9
输出特性3-STATE
可输出YES
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码QCCJ
封装等效代码LDCC32,.5X.6
封装形状RECTANGULAR
封装形式CHIP CARRIER
并行/串行PARALLEL
电源5 V
认证状态Not Qualified
最大待机电流0.005 A
最大压摆率0.12 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式J BEND
端子节距1.27 mm
端子位置QUAD
Base Number Matches1
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