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IDT72021S25J8

产品描述FIFO, 1KX9, 25ns, Asynchronous, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32
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文件大小408KB,共14页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
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IDT72021S25J8概述

FIFO, 1KX9, 25ns, Asynchronous, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32

IDT72021S25J8规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码QFJ
包装说明QCCJ,
针数32
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
最长访问时间25 ns
其他特性RETRANSMIT
周期时间35 ns
JESD-30 代码R-PQCC-J32
JESD-609代码e0
内存密度9216 bit
内存宽度9
功能数量1
端子数量32
字数1024 words
字数代码1000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织1KX9
输出特性3-STATE
可输出YES
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码QCCJ
封装形状RECTANGULAR
封装形式CHIP CARRIER
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)225
认证状态Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层TIN LEAD
端子形式J BEND
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间30
Base Number Matches1
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