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WSF128K32-29H2M: 产品描述Memory Circuit, Flash+SRAM, 128KX32, CMOS, CPGA66, CERAMIC, HIP-66; 产品类别存储存储; 文件大小505KB，共12页; 制造商White Electronic Designs Corporation; 官网地址http://www.wedc.com/

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WSF128K32-29H2M概述

Memory Circuit, Flash+SRAM, 128KX32, CMOS, CPGA66, CERAMIC, HIP-66

参数名称	属性值
厂商名称	White Electronic Designs Corporation
包装说明	CERAMIC, HIP-66
Reach Compliance Code	unknown
最长访问时间	90 ns
其他特性	SRAM ORGANISATION IS 128K X 32
JESD-30 代码	S-CPGA-P66
长度	35.18 mm
内存密度	4194304 bit
内存集成电路类型	MEMORY CIRCUIT
内存宽度	32
混合内存类型	FLASH+SRAM
功能数量	1
端子数量	66
字数	131072 words
字数代码	128000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-55 °C
组织	128KX32
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码	PGA
封装等效代码	PGA66,11X11
封装形状	SQUARE
封装形式	GRID ARRAY
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	5.7 mm
最大待机电流	0.08 A
最大压摆率	0.67 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	MILITARY
端子形式	PIN/PEG
端子节距	2.54 mm
端子位置	PERPENDICULAR
宽度	35.18 mm
Base Number Matches	1

器件捷径: A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ

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