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MBR20200CT_T0_10001

产品描述Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 10A, 200V V(RRM), Silicon, TO-220AB,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小125KB,共4页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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MBR20200CT_T0_10001概述

Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 10A, 200V V(RRM), Silicon, TO-220AB,

MBR20200CT_T0_10001规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称强茂(PANJIT)
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
其他特性FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS
应用EFFICIENCY
外壳连接ISOLATED
配置COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.9 V
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
最大非重复峰值正向电流200 A
元件数量2
相数1
端子数量3
最高工作温度175 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流10 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压200 V
最大反向电流50 µA
表面贴装NO
技术SCHOTTKY
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

MBR20200CT_T0_10001文档预览

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MBR2040CT~MBR20200CT
20 AMPERES SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS
VOLTAGE
40 to 200 Volts
FEATURES
• Plastic package has Underwriters Laboratory
Flammability Classification 94V-O.
Flame Retardant Epoxy Molding Compound.
• Metal silicon junction, majority carrier conduction
• Low power loss, high efficiency.
• High current capability
• For use in low voltage, high frequency inverters
free wheeling, and polarlity protection applications.
• Lead free in comply with EU RoHS 2011/65/EU directives
CURRENT
20 Amperes
MECHANICAL DATA
• Case: TO-220AB molded plastic
• Terminals: Solder plated, solderable per MIL-STD-750, Method 2026
• Polarity: As marked.
• Mounting Position: Any
• Weight: 0.0655 ounces, 1.859 grams.
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified. Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive loa d.
For capacitive load, derate current by 20%
PA RA M E TE R
M a xi m um R e c ur r e nt P e a k R e ve r s e V o l t a g e
M a xi m um R M S V o l t a g e
M a xi m um D C B l o c k i ng V o l t a g e
M a xi m um A ve r a g e F o r w a r d C ur r e nt ( S e e f i g . 1 )
P e a k F o r w a r d S ur g e C ur r e nt : 8 . 3 m s s i ng l e ha l f s i ne -
w a ve s up e r i m p o s e d o n r a t e d l o a d ( J E D E C m e t ho d )
M a xi m um F o r w a r d V o l t a g e a t 1 0 A , p e r l e g
M a xi m um D C R e ve r s e C ur r e nt T
J
= 2 5
O
C
a t R a t e d D C B l o c k i ng V o l t a g e T
J
= 1 2 5
O
C
Ty p i c a l T h e r m a l R e s i s t a n c e
O p e r a t i n g J u n c t i o n a n d S t o r a g e Te m p e r a t u r e R a n g e
S YM B O L
V
RRM
V
RMS
V
D C
I
F ( A V )
I
F S M
V
F
I
R
R
θ
J C
T
J
, T
S TG
MB R2 0 4 0 C T
MB R2 0 4 5 C T
MB R2 0 5 0 C T
MB R2 0 6 0 C T
MB R2 0 8 0 C T
MB R2 0 9 0 C T MB R2 0 1 0 0 C T MB R2 0 1 5 0 C T MB R2 0 2 0 0 C T
U N IT S
V
V
V
A
A
40
28
40
45
3 1 .5
45
50
35
50
60
42
60
80
56
80
20
200
90
63
90
100
70
100
150
105
150
200
140
200
0 .7
0.75
0 .0 5
20
2
0 .8
0 .9
V
mA
O
C /
W
C
-5 0 to + 1 5 0
-65 to +175
O
Notes :
Both Bonding and Chip structure are available.
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