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EDI88512LP100PM

产品描述Standard SRAM, 512KX8, 100ns, CMOS, PDIP32,
产品类别存储    存储   
文件大小543KB,共8页
制造商EDI [Electronic devices inc.]
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EDI88512LP100PM概述

Standard SRAM, 512KX8, 100ns, CMOS, PDIP32,

EDI88512LP100PM规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称EDI [Electronic devices inc.]
Reach Compliance Codeunknown
最长访问时间100 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PDIP-T32
内存密度4194304 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度8
功能数量1
端口数量1
端子数量32
字数524288 words
字数代码512000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织512KX8
输出特性3-STATE
可输出YES
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码DIP
封装等效代码DIP32,.6
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
电源5 V
认证状态Not Qualified
最大待机电流0.000185 A
最小待机电流2 V
最大压摆率0.075 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
Base Number Matches1
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