M58LSW32A150ZA1,M58LSW32A150ZA1 pdf中文资料,M58LSW32A150ZA1引脚图,M58LSW32A150ZA1电路-Datasheet-电子工程世界

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M58LSW32A150ZA1: 产品描述2MX16 FLASH 3V PROM, 150ns, PBGA64, 1 MM PITCH, TBGA-64; 产品类别存储存储; 文件大小353KB，共59页; 制造商ST(意法半导体); 官网地址http://www.st.com/

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M58LSW32A150ZA1概述

2MX16 FLASH 3V PROM, 150ns, PBGA64, 1 MM PITCH, TBGA-64

M58LSW32A150ZA1规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	ST(意法半导体)
零件包装代码	BGA
包装说明	1 MM PITCH, TBGA-64
针数	64
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	3A991.B.1.A
最长访问时间	150 ns
其他特性	SYNCHRONOUS MODE OF OPERATION ALSO POSSIBLE
JESD-30 代码	R-PBGA-B64
长度	13 mm
内存密度	33554432 bit
内存集成电路类型	FLASH
内存宽度	16
功能数量	1
端子数量	64
字数	2097152 words
字数代码	2000000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	2MX16
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TBGA
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, THIN PROFILE
并行/串行	PARALLEL
编程电压	3 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)	3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子形式	BALL
端子节距	1 mm
端子位置	BOTTOM
类型	NOR TYPE
宽度	10 mm
Base Number Matches	1

M58LSW32A150ZA1相似产品对比

	M58LSW32A150ZA1	M58LSW32A150ZA6	M58LSW32B150ZA6
描述	2MX16 FLASH 3V PROM, 150ns, PBGA64, 1 MM PITCH, TBGA-64	2MX16 FLASH 3V PROM, 150ns, PBGA64, 1 MM PITCH, TBGA-64	1MX32 FLASH 3V PROM, 150ns, PBGA80, 1 MM PITCH, TBGA-80
厂商名称	ST(意法半导体)	ST(意法半导体)	ST(意法半导体)
零件包装代码	BGA	BGA	BGA
包装说明	1 MM PITCH, TBGA-64	1 MM PITCH, TBGA-64	1 MM PITCH, TBGA-80
针数	64	64	80
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	3A991.B.1.A	3A991.B.1.A	3A991.B.1.A
最长访问时间	150 ns	150 ns	150 ns
其他特性	SYNCHRONOUS MODE OF OPERATION ALSO POSSIBLE	SYNCHRONOUS MODE OF OPERATION ALSO POSSIBLE	SYNCHRONOUS MODE OF OPERATION ALSO POSSIBLE
JESD-30 代码	R-PBGA-B64	R-PBGA-B64	R-PBGA-B80
长度	13 mm	13 mm	13 mm
内存密度	33554432 bit	33554432 bit	33554432 bit
内存集成电路类型	FLASH	FLASH	FLASH
内存宽度	16	16	32
功能数量	1	1	1
端子数量	64	64	80
字数	2097152 words	2097152 words	1048576 words
字数代码	2000000	2000000	1000000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	85 °C	85 °C
最低工作温度	-	-40 °C	-40 °C
组织	2MX16	2MX16	1MX32
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TBGA	TBGA	TBGA
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, THIN PROFILE	GRID ARRAY, THIN PROFILE	GRID ARRAY, THIN PROFILE
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
编程电压	3 V	3 V	3 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V	3.6 V	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	2.7 V	2.7 V	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)	3 V	3 V	3 V
表面贴装	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL
端子形式	BALL	BALL	BALL
端子节距	1 mm	1 mm	1 mm
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
类型	NOR TYPE	NOR TYPE	NOR TYPE
宽度	10 mm	10 mm	10 mm
Base Number Matches	1	1	-

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