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IS62VV25616L-10T: 产品描述Standard SRAM, 256KX16, 100ns, CMOS, PDSO44, TSOP2-44; 产品类别存储存储; 文件大小88KB，共10页; 制造商Integrated Silicon Solution ( ISSI )

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IS62VV25616L-10T概述

Standard SRAM, 256KX16, 100ns, CMOS, PDSO44, TSOP2-44

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Integrated Silicon Solution ( ISSI )
零件包装代码	TSOP2
包装说明	TSOP2-44
针数	44
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	3A991.B.2.A
最长访问时间	100 ns
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-PDSO-G44
JESD-609代码	e0
长度	18.41 mm
内存密度	4194304 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM
内存宽度	16
湿度敏感等级	3
功能数量	1
端子数量	44
字数	262144 words
字数代码	256000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	256KX16
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSOP2
封装等效代码	TSOP44,.46,32
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	240
电源	1.8 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.2 mm
最大待机电流	0.000015 A
最小待机电流	1 V
最大压摆率	0.01 mA
最大供电电压 (Vsup)	1.95 V
最小供电电压 (Vsup)	1.65 V
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	GULL WING
端子节距	0.8 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	30
宽度	10.16 mm
Base Number Matches	1

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