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MJE1123

产品描述TRANSISTOR,BJT,PNP,40V V(BR)CEO,4A I(C),TO-220AB
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小240KB,共5页
制造商NXP(恩智浦)
官网地址https://www.nxp.com
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

MJE1123概述

TRANSISTOR,BJT,PNP,40V V(BR)CEO,4A I(C),TO-220AB

MJE1123规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称NXP(恩智浦)
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Codeunknown
其他特性LEADFORM OPTIONS ARE AVAILABLE
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)4 A
集电极-发射极最大电压40 V
配置Single
最小直流电流增益 (hFE)75
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型PNP
功耗环境最大值75 W
最大功率耗散 (Abs)75 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)5 MHz
VCEsat-Max0.75 V
Base Number Matches1

MJE1123相似产品对比

MJE1123
描述 TRANSISTOR,BJT,PNP,40V V(BR)CEO,4A I(C),TO-220AB
是否Rohs认证 不符合
厂商名称 NXP(恩智浦)
包装说明 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code unknown
其他特性 LEADFORM OPTIONS ARE AVAILABLE
外壳连接 COLLECTOR
最大集电极电流 (IC) 4 A
集电极-发射极最大电压 40 V
配置 Single
最小直流电流增益 (hFE) 75
JEDEC-95代码 TO-220AB
JESD-30 代码 R-PSFM-T3
JESD-609代码 e0
元件数量 1
端子数量 3
最高工作温度 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED
极性/信道类型 PNP
功耗环境最大值 75 W
最大功率耗散 (Abs) 75 W
认证状态 Not Qualified
表面贴装 NO
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON
标称过渡频率 (fT) 5 MHz
VCEsat-Max 0.75 V
Base Number Matches 1

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