M5M5256RV-55XL,M5M5256RV-55XL pdf中文资料,M5M5256RV-55XL引脚图,M5M5256RV-55XL电路-Datasheet-电子工程世界

M5M5256RV-55XL: 产品描述Standard SRAM, 32KX8, 55ns, CMOS, PDSO28; 产品类别存储存储; 文件大小64KB，共7页; 制造商Mitsubishi(日本三菱); 官网地址http://www.mitsubishielectric.com/semiconductors/

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M5M5256RV-55XL概述

Standard SRAM, 32KX8, 55ns, CMOS, PDSO28

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Mitsubishi(日本三菱)
包装说明	TSSOP, TSSOP28,.53,22
Reach Compliance Code	unknown
最长访问时间	55 ns
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-PDSO-G28
JESD-609代码	e0
内存密度	262144 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM
内存宽度	8
端子数量	28
字数	32768 words
字数代码	32000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	32KX8
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSSOP
封装等效代码	TSSOP28,.53,22
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行	PARALLEL
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
反向引出线	YES
最小待机电流	2 V
最大压摆率	0.05 mA
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	GULL WING
端子节距	0.55 mm
端子位置	DUAL
Base Number Matches	1

器件捷径: E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ

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