IC 128K X 8 CACHE SRAM, 15 ns, PDIP32, 0.400 INCH, PLASTIC, DIP-32, Static RAM
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | Toshiba(东芝) |
| 零件包装代码 | DIP |
| 针数 | 32 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| 最长访问时间 | 15 ns |
| JESD-30 代码 | R-PDIP-T32 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 长度 | 40 mm |
| 内存密度 | 1048576 bit |
| 内存集成电路类型 | CACHE SRAM |
| 内存宽度 | 8 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 32 |
| 字数 | 131072 words |
| 字数代码 | 128000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C |
| 最低工作温度 | |
| 组织 | 128KX8 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | DIP |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 240 |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 4.45 mm |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | NO |
| 温度等级 | COMMERCIAL |
| 端子面层 | TIN LEAD |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 10.16 mm |
| Base Number Matches | 1 |
| TC55B8128P-15 | TC55B8128J-15 | TC55B8128J-20 | TC55B8128J-12 | |
|---|---|---|---|---|
| 描述 | IC 128K X 8 CACHE SRAM, 15 ns, PDIP32, 0.400 INCH, PLASTIC, DIP-32, Static RAM | IC 128K X 8 CACHE SRAM, 15 ns, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32, Static RAM | IC 128K X 8 CACHE SRAM, 20 ns, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32, Static RAM | IC 128K X 8 CACHE SRAM, 12 ns, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32, Static RAM |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
| 厂商名称 | Toshiba(东芝) | Toshiba(东芝) | Toshiba(东芝) | Toshiba(东芝) |
| 零件包装代码 | DIP | SOJ | SOJ | SOJ |
| 针数 | 32 | 32 | 32 | 32 |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown | unknown | unknown |
| 最长访问时间 | 15 ns | 15 ns | 20 ns | 12 ns |
| JESD-30 代码 | R-PDIP-T32 | R-PDSO-J32 | R-PDSO-J32 | R-PDSO-J32 |
| 长度 | 40 mm | 21 mm | 21 mm | 21 mm |
| 内存密度 | 1048576 bit | 1048576 bit | 1048576 bit | 1048576 bit |
| 内存集成电路类型 | CACHE SRAM | CACHE SRAM | CACHE SRAM | CACHE SRAM |
| 内存宽度 | 8 | 8 | 8 | 8 |
| 功能数量 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 32 | 32 | 32 | 32 |
| 字数 | 131072 words | 131072 words | 131072 words | 131072 words |
| 字数代码 | 128000 | 128000 | 128000 | 128000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C | 70 °C | 70 °C | 70 °C |
| 组织 | 128KX8 | 128KX8 | 128KX8 | 128KX8 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | DIP | SOJ | SOJ | SOJ |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE |
| 并行/串行 | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 4.45 mm | 3.6 mm | 3.6 mm | 3.6 mm |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V |
| 表面贴装 | NO | YES | YES | YES |
| 温度等级 | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | J BEND | J BEND | J BEND |
| 端子节距 | 2.54 mm | 1.27 mm | 1.27 mm | 1.27 mm |
| 端子位置 | DUAL | DUAL | DUAL | DUAL |
| 宽度 | 10.16 mm | 10.2 mm | 10.2 mm | 10.2 mm |
| JESD-609代码 | e0 | - | e0 | e0 |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 240 | - | 240 | 240 |
| 端子面层 | TIN LEAD | - | TIN LEAD | TIN LEAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | - | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
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