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IDT7MB6136S40K

产品描述Multi-Port SRAM Module, 128KX18, 40ns, CMOS
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文件大小178KB,共8页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
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IDT7MB6136S40K概述

Multi-Port SRAM Module, 128KX18, 40ns, CMOS

IDT7MB6136S40K规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称IDT (Integrated Device Technology)
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码3A991.B.2.A
最长访问时间40 ns
其他特性TTL COMPATIBLE INPUTS/OUTPUTS
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-XQMA-P104
JESD-609代码e0
内存密度2359296 bit
内存集成电路类型MULTI-PORT SRAM MODULE
内存宽度18
功能数量1
端口数量2
端子数量104
字数131072 words
字数代码128000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织128KX18
输出特性3-STATE
封装主体材料UNSPECIFIED
封装代码QIP
封装等效代码QI104,2.0/2.2,100
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源5 V
认证状态Not Qualified
最大待机电流0.17 A
最小待机电流4.5 V
最大压摆率0.52 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式PIN/PEG
端子节距2.54 mm
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1
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