IS62WV5128EALL-55HI,IS62WV5128EALL-55HI pdf中文资料,IS62WV5128EALL-55HI引脚图,IS62WV5128EALL-55HI电路-Datasheet-电子工程世界

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IS62WV5128EALL-55HI: 产品描述Standard SRAM, 512KX8, 55ns, CMOS, PDSO32, 8 X 13.40 MM, MO-183, STSOP1-32; 产品类别存储存储; 文件大小706KB，共18页; 制造商Integrated Silicon Solution ( ISSI )

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IS62WV5128EALL-55HI概述

Standard SRAM, 512KX8, 55ns, CMOS, PDSO32, 8 X 13.40 MM, MO-183, STSOP1-32

IS62WV5128EALL-55HI规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	Integrated Silicon Solution ( ISSI )
包装说明	TSOP1,
Reach Compliance Code	unknown
最长访问时间	55 ns
JESD-30 代码	R-PDSO-G32
长度	11.8 mm
内存密度	4194304 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM
内存宽度	8
功能数量	1
端子数量	32
字数	524288 words
字数代码	512000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	512KX8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSOP1
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行	PARALLEL
座面最大高度	1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)	2.2 V
最小供电电压 (Vsup)	1.65 V
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子形式	GULL WING
端子节距	0.5 mm
端子位置	DUAL
宽度	8 mm
Base Number Matches	1

IS62WV5128EALL-55HI相似产品对比

	IS62WV5128EALL-55HI	IS62WV5128EBLL-45TI	IS62WV5128EBLL-45T2I	IS62WV5128EALL-55T2I	IS62WV5128EALL-55TI
描述	Standard SRAM, 512KX8, 55ns, CMOS, PDSO32, 8 X 13.40 MM, MO-183, STSOP1-32	Standard SRAM, 512KX8, 45ns, CMOS, PDSO32, 8 X 20 MM, TSOP1-32	512K X 8 STANDARD SRAM, 45ns, PDSO32, 0.400 INCH, TSOP2-32	512K X 8 STANDARD SRAM, 55ns, PDSO32, 0.400 INCH, TSOP2-32	Standard SRAM, 512KX8, 55ns, CMOS, PDSO32, 8 X 20 MM, TSOP1-32
包装说明	TSOP1,	TSOP1,	0.400 INCH, TSOP2-32	0.400 INCH, TSOP2-32	TSOP1,
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
最长访问时间	55 ns	45 ns	45 ns	55 ns	55 ns
JESD-30 代码	R-PDSO-G32	R-PDSO-G32	R-PDSO-G32	R-PDSO-G32	R-PDSO-G32
长度	11.8 mm	18.4 mm	20.95 mm	20.95 mm	18.4 mm
内存密度	4194304 bit	4194304 bit	4194304 bit	4194304 bit	4194304 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM
内存宽度	8	8	8	8	8
功能数量	1	1	1	1	1
端子数量	32	32	32	32	32
字数	524288 words	524288 words	524288 words	524288 words	524288 words
字数代码	512000	512000	512000	512000	512000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C
最低工作温度	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C
组织	512KX8	512KX8	512KX8	512KX8	512KX8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSOP1	TSOP1	TSOP2	TSOP2	TSOP1
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
座面最大高度	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)	2.2 V	3.6 V	3.6 V	2.2 V	2.2 V
最小供电电压 (Vsup)	1.65 V	2.2 V	2.2 V	1.65 V	1.65 V
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V	3 V	3 V	1.8 V	1.8 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子节距	0.5 mm	0.5 mm	1.27 mm	1.27 mm	0.5 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
宽度	8 mm	8 mm	10.16 mm	10.16 mm	8 mm
Base Number Matches	1	1	1	1	1
厂商名称	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	-	-	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )

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