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MT47H128M8HQ-25AT

产品描述128MX8 DDR DRAM, 0.35ns, PBGA60, 8 X 11.50 MM, ROHS COMPLIANT, FBGA-60
产品类别存储    存储   
文件大小9MB,共129页
制造商Micron Technology
官网地址http://www.mdtic.com.tw/
标准  
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MT47H128M8HQ-25AT概述

128MX8 DDR DRAM, 0.35ns, PBGA60, 8 X 11.50 MM, ROHS COMPLIANT, FBGA-60

MT47H128M8HQ-25AT规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Micron Technology
零件包装代码BGA
包装说明TFBGA,
针数60
Reach Compliance Codecompliant
访问模式MULTI BANK PAGE BURST
最长访问时间0.35 ns
其他特性AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码R-PBGA-B60
JESD-609代码e1
长度11.5 mm
内存密度1073741824 bit
内存集成电路类型DDR DRAM
内存宽度8
功能数量1
端口数量1
端子数量60
字数134217728 words
字数代码128000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度105 °C
最低工作温度-40 °C
组织128MX8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TFBGA
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度(摄氏度)260
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)1.9 V
最小供电电压 (Vsup)1.5 V
标称供电电压 (Vsup)1.55 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层TIN SILVER COPPER
端子形式BALL
端子节距0.8 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间30
宽度8 mm
Base Number Matches1

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1Gb: x4, x8, x16 1.55V DDR2 SDRAM
Features
DDR2 SDRAM
MT47R256M4 – 32 Meg x 4 x 8 banks
MT47R128M8 – 16 Meg x 8 x 8 banks
MT47R64M16 – 8 Meg x 16 x 8 banks
Features
V
DD
/V
DDQ
= +1.55V, 1.5–1.9V range
Backward compatible with 1.8V DDR2
JEDEC-standard 1.8V I/O (SSTL_18-compatible)
Differential data strobe (DQS, DQS#) option
4n-bit prefetch architecture
Duplicate output strobe (RDQS) option for x8
DLL to align DQ and DQS transitions with CK
8 internal banks for concurrent operation
Programmable CAS latency (CL)
Posted CAS additive latency (AL)
WRITE latency = READ latency - 1
t
CK
Selectable burst lengths (BL): 4 or 8
Adjustable data-output drive strength
64ms, 8192-cycle refresh
On-die termination (ODT)
Industrial temperature (IT) option
RoHS compliant
Supports JEDEC clock jitter specification
Very low power operation
Options
1
Configuration
256 Meg x 4 (32 Meg x 4 x 8 banks)
128 Meg x 8 (16 Meg x 8 x 8 banks)
64 Meg x 16 (8 Meg x 16 x 8 banks)
FBGA package (Pb-free) – x16
84-ball FBGA (8mm x 12.5mm) Rev. G
FBGA package (Pb-free) – x4, x8
60-ball FBGA (8mm x 11.5mm) Rev. G
Timing – cycle time
2.5ns @ CL = 5 (DDR2-800)
2.5ns @ CL = 6 (DDR2-800)
3.0ns @ CL = 4 (DDR2-667)
3.0ns @ CL = 5 (DDR2-667)
3.75ns @ CL = 4 (DDR2-533)
Operating temperature
Commercial (0°C
T
C
85°C)
Industrial (–40°C
T
C
95°C;
–40°C
T
A
85°C)
Automotive (–40°C
T
C
, T
A
105ºC)
Revision
Note:
Marking
256M4
128M8
64M16
HR
HQ
-25E
-25
-3E
-3
-37E
None
IT
AT
:G
1. Not all options listed can be combined to
define an offered product. Use the Part
Catalog Search on
www.micron.com
for
product offerings and availability.
Table 1: Key Timing Parameters
Data Rate (MT/s)
Speed Grade
-25E
-25
-3E
-3
-37E
CL = 3
400
400
400
400
400
CL = 4
533
533
667
533
533
CL = 5
800
667
667
667
n/a
CL = 6
800
800
n/a
n/a
n/a
CL = 7
n/a
n/a
n/a
n/a
n/a
t
RC
(ns)
55
55
54
55
55
PDF: 09005aef82b91d01
1GbDDR2_1_55V.PDF Rev. A 5/09 EN
1
Products and specifications discussed herein are subject to change by Micron without notice.
Micron Technology, Inc. reserves the right to change products or specifications without notice.
©2009
Micron Technology, Inc. All rights reserved.

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