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HM66AEB9402BP-30

产品描述4MX9 DDR SRAM, 0.45ns, PBGA165, PLASTIC, FBGA-165
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文件大小236KB,共32页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
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HM66AEB9402BP-30概述

4MX9 DDR SRAM, 0.45ns, PBGA165, PLASTIC, FBGA-165

HM66AEB9402BP-30规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Renesas(瑞萨电子)
零件包装代码BGA
包装说明LBGA, BGA165,11X15,40
针数165
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码3A991.B.2.A
最长访问时间0.45 ns
最大时钟频率 (fCLK)333 MHz
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PBGA-B165
长度17 mm
内存密度37748736 bit
内存集成电路类型DDR SRAM
内存宽度9
湿度敏感等级1
功能数量1
端子数量165
字数4194304 words
字数代码4000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织4MX9
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码LBGA
封装等效代码BGA165,11X15,40
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, LOW PROFILE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)225
电源1.5/1.8,1.8 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.46 mm
最大待机电流0.35 A
最小待机电流1.7 V
最大压摆率0.77 mA
最大供电电压 (Vsup)1.9 V
最小供电电压 (Vsup)1.7 V
标称供电电压 (Vsup)1.8 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式BALL
端子节距1 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度15 mm
Base Number Matches1

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HM66AEB36102/HM66AEB18202
HM66AEB9402
36-Mbit DDR II SRAM
2-word Burst
REJ03C0046-0001Z
(Previous ADE-203-1365 (Z) Rev. 0.0)
Preliminary
Rev.0.01
Apr.28.2004
Description
The HM66AEB36102 is a 1,048,576-word by 36-bit, the HM66AEB18202 is a 2,097,152-word by 18-bit,
and the HM66AEB9402 is a 4,194,304-word by 9-bit synchronous double data rate static RAM fabricated
with advanced CMOS technology using full CMOS six-transistor memory cell. It integrates unique
synchronous peripheral circuitry and a burst counter. All input registers controlled by an input clock pair
(K and
K)
and are latched on the positive edge of K and
K.
These products are suitable for applications
which require synchronous operation, high speed, low voltage, high density and wide bit configuration.
These products are packaged in 165-pin plastic FBGA package.
Preliminary: The specifications of this device are subject to change without notice. Please contact your
nearest Renesas Technology's Sales Dept. regarding specifications.
Rev.0.01, Apr.28.2004, page 1 of 28

 
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