DDR DRAM, 64MX8, 0.4ns, CMOS, PBGA60
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 不含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | Micron Technology |
包装说明 | FBGA, BGA60,9X11,32 |
Reach Compliance Code | compliant |
最长访问时间 | 0.4 ns |
最大时钟频率 (fCLK) | 400 MHz |
I/O 类型 | COMMON |
交错的突发长度 | 4,8 |
JESD-30 代码 | R-PBGA-B60 |
JESD-609代码 | e3 |
内存密度 | 536870912 bit |
内存集成电路类型 | DDR DRAM |
内存宽度 | 8 |
湿度敏感等级 | 1 |
端子数量 | 60 |
字数 | 67108864 words |
字数代码 | 64000000 |
组织 | 64MX8 |
输出特性 | 3-STATE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | FBGA |
封装等效代码 | BGA60,9X11,32 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | GRID ARRAY, FINE PITCH |
峰值回流温度(摄氏度) | 225 |
电源 | 1.8 V |
认证状态 | Not Qualified |
刷新周期 | 8192 |
连续突发长度 | 4,8 |
最大待机电流 | 0.007 A |
标称供电电压 (Vsup) | 1.8 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
端子面层 | MATTE TIN |
端子形式 | BALL |
端子节距 | 0.8 mm |
端子位置 | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
Base Number Matches | 1 |
电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved