电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
 PDF数据手册

MT47H64M8B6-25E

产品描述DDR DRAM, 64MX8, 0.4ns, CMOS, PBGA60
产品类别存储    存储   
文件大小9MB,共129页
制造商Micron Technology
官网地址http://www.mdtic.com.tw/
标准  
下载文档 详细参数 全文预览

MT47H64M8B6-25E概述

DDR DRAM, 64MX8, 0.4ns, CMOS, PBGA60

MT47H64M8B6-25E规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Micron Technology
包装说明FBGA, BGA60,9X11,32
Reach Compliance Codecompliant
最长访问时间0.4 ns
最大时钟频率 (fCLK)400 MHz
I/O 类型COMMON
交错的突发长度4,8
JESD-30 代码R-PBGA-B60
JESD-609代码e3
内存密度536870912 bit
内存集成电路类型DDR DRAM
内存宽度8
湿度敏感等级1
端子数量60
字数67108864 words
字数代码64000000
组织64MX8
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码FBGA
封装等效代码BGA60,9X11,32
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, FINE PITCH
峰值回流温度(摄氏度)225
电源1.8 V
认证状态Not Qualified
刷新周期8192
连续突发长度4,8
最大待机电流0.007 A
标称供电电压 (Vsup)1.8 V
表面贴装YES
技术CMOS
端子面层MATTE TIN
端子形式BALL
端子节距0.8 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 53  159  245  426  565 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved