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MT28C64416W18ABW-F605P85TWT

产品描述Memory Circuit, Flash+SRAM, 4MX16, CMOS, PBGA77, 8 X 10 MM, LEAD FREE, FBGA-77
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文件大小239KB,共13页
制造商Micron Technology
官网地址http://www.mdtic.com.tw/
标准
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MT28C64416W18ABW-F605P85TWT概述

Memory Circuit, Flash+SRAM, 4MX16, CMOS, PBGA77, 8 X 10 MM, LEAD FREE, FBGA-77

MT28C64416W18ABW-F605P85TWT规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Micron Technology
零件包装代码BGA
包装说明TFBGA, BGA77,8X10,32
针数77
Reach Compliance Codecompliant
最长访问时间85 ns
其他特性CELLULAR RAM IS ORGANIZED AS 1M X 16
JESD-30 代码R-PBGA-B77
JESD-609代码e1
长度10 mm
内存密度67108864 bit
内存集成电路类型MEMORY CIRCUIT
内存宽度16
混合内存类型FLASH+SRAM
功能数量1
端子数量77
字数4194304 words
字数代码4000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-25 °C
组织4MX16
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TFBGA
封装等效代码BGA77,8X10,32
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
电源1.8 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.2 mm
最大待机电流0.000115 A
最大供电电压 (Vsup)1.95 V
最小供电电压 (Vsup)1.7 V
标称供电电压 (Vsup)1.8 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级OTHER
端子面层TIN SILVER COPPER
端子形式BALL
端子节距0.8 mm
端子位置BOTTOM
宽度8 mm
Base Number Matches1

 
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