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APT100GN120B2

产品描述Thunderbolt IGBT
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小121KB,共6页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
下载文档 详细参数 全文预览

APT100GN120B2概述

Thunderbolt IGBT

APT100GN120B2规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Microsemi
Reach Compliance Codeunknow
其他特性HIGH RELIABILITY
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)245 A
集电极-发射极最大电压1200 V
配置SINGLE
门极发射器阈值电压最大值6.5 V
门极-发射极最大电压30 V
JESD-30 代码R-PSFM-T3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)960 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用POWER CONTROL
晶体管元件材料SILICON
标称断开时间 (toff)935 ns
标称接通时间 (ton)100 ns

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