MT9HVF6472Y-667,MT9HVF6472Y-667 pdf中文资料,MT9HVF6472Y-667引脚图,MT9HVF6472Y-667电路-Datasheet-电子工程世界

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MT9HVF6472Y-667: 产品描述Memory IC, 64MX72, CMOS, PDMA240; 产品类别存储存储; 文件大小208KB，共16页; 制造商Micron Technology; 官网地址http://www.mdtic.com.tw/; 标准

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MT9HVF6472Y-667概述

Memory IC, 64MX72, CMOS, PDMA240

MT9HVF6472Y-667规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	Micron Technology
包装说明	DIMM, DIMM240,40
Reach Compliance Code	compliant
最长访问时间	0.45 ns
最大时钟频率 (fCLK)	333 MHz
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-PDMA-N240
内存密度	4831838208 bit
内存宽度	72
端子数量	240
字数	67108864 words
字数代码	64000000
最高工作温度	85 °C
最低工作温度
组织	64MX72
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	DIMM
封装等效代码	DIMM240,40
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源	1.8 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	8192
最大待机电流	0.063 A
最大压摆率	2.16 mA
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	OTHER
端子形式	NO LEAD
端子节距	1 mm
端子位置	DUAL
Base Number Matches	1

MT9HVF6472Y-667相似产品对比

	MT9HVF6472Y-667	MT9HVF12872PY-53E	MT9HVF12872PY-667	MT9HVF6472PY-40E	MT9HVF6472PY-53E	MT9HVF6472PY-667	MT9HVF6472Y-40E	MT9HVF6472Y-53E
描述	Memory IC, 64MX72, CMOS, PDMA240	Memory IC, 128MX72, CMOS, PDMA240	Memory IC, 128MX72, CMOS, PDMA240	Memory IC, 64MX72, CMOS, PDMA240	Memory IC, 64MX72, CMOS, PDMA240	Memory IC, 64MX72, CMOS, PDMA240	Memory IC, 64MX72, CMOS, PDMA240	Memory IC, 64MX72, CMOS, PDMA240
是否无铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅
是否Rohs认证	符合	符合	符合	符合	符合	符合	符合	符合
厂商名称	Micron Technology	Micron Technology	Micron Technology	Micron Technology	Micron Technology	Micron Technology	Micron Technology	Micron Technology
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	unknown	compliant	compliant
最长访问时间	0.45 ns	0.5 ns	0.45 ns	0.6 ns	0.5 ns	0.45 ns	0.6 ns	0.5 ns
最大时钟频率 (fCLK)	333 MHz	266 MHz	333 MHz	200 MHz	266 MHz	333 MHz	200 MHz	266 MHz
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-PDMA-N240	R-PDMA-N240	R-PDMA-N240	R-PDMA-N240	R-PDMA-N240	R-PDMA-N240	R-PDMA-N240	R-PDMA-N240
内存密度	4831838208 bit	9663676416 bit	9663676416 bit	4831838208 bit	4831838208 bit	4831838208 bit	4831838208 bit	4831838208 bit
内存宽度	72	72	72	72	72	72	72	72
端子数量	240	240	240	240	240	240	240	240
字数	67108864 words	134217728 words	134217728 words	67108864 words	67108864 words	67108864 words	67108864 words	67108864 words
字数代码	64000000	128000000	128000000	64000000	64000000	64000000	64000000	64000000
最高工作温度	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C
组织	64MX72	128MX72	128MX72	64MX72	64MX72	64MX72	64MX72	64MX72
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM
封装等效代码	DIMM240,40	DIMM240,40	DIMM240,40	DIMM240,40	DIMM240,40	DIMM240,40	DIMM240,40	DIMM240,40
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	8192	8192	8192	8192	8192	8192	8192	8192
最大待机电流	0.063 A	0.063 A	0.063 A	0.063 A	0.063 A	0.063 A	0.063 A	0.063 A
最大压摆率	2.16 mA	2.61 mA	2.7 mA	1.98 mA	2.025 mA	2.16 mA	1.98 mA	2.025 mA
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	OTHER	OTHER	OTHER	OTHER	OTHER	OTHER	OTHER	OTHER
端子形式	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD
端子节距	1 mm	1 mm	1 mm	1 mm	1 mm	1 mm	1 mm	1 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
Base Number Matches	1	1	1	1	1	1	1	1

MT9HVF6472Y-667

MT9HVF6472Y-667概述

MT9HVF6472Y-667规格参数

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