HB56E836SBR-6,HB56E836SBR-6 pdf中文资料,HB56E836SBR-6引脚图,HB56E836SBR-6电路-Datasheet-电子工程世界

HB56E836SBR-6: 产品描述EDO DRAM Module, 8MX36, 60ns, CMOS, SIP-72; 产品类别存储存储; 文件大小214KB，共24页; 制造商Hitachi （Renesas ）; 官网地址http://www.renesas.com/eng/

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HB56E836SBR-6概述

EDO DRAM Module, 8MX36, 60ns, CMOS, SIP-72

HB56E836SBR-6规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	Hitachi （Renesas ）
零件包装代码	MODULE
包装说明	SIMM, SSIM72
针数	72
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
访问模式	FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间	60 ns
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-XSMA-N72
内存密度	301989888 bit
内存集成电路类型	EDO DRAM MODULE
内存宽度	36
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	72
字数	8388608 words
字数代码	8000000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	8MX36
输出特性	3-STATE
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装代码	SIMM
封装等效代码	SSIM72
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	2048
最大待机电流	0.024 A
最大压摆率	1.46 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.25 V
最小供电电压 (Vsup)	4.75 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子形式	NO LEAD
端子节距	1.27 mm
端子位置	SINGLE
Base Number Matches	1

HB56E836SBR-6相似产品对比

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描述	EDO DRAM Module, 8MX36, 60ns, CMOS, SIP-72	EDO DRAM Module, 8MX36, 70ns, CMOS, SIP-72	EDO DRAM Module, 4MX36, 60ns, CMOS, SIP-72	EDO DRAM Module, 4MX36, 70ns, CMOS, SIP-72	EDO DRAM Module, 8MX36, 70ns, CMOS, SIP-72	EDO DRAM Module, 8MX36, 60ns, CMOS, SIP-72	EDO DRAM Module, 4MX36, 60ns, CMOS, SIP-72
零件包装代码	MODULE	MODULE	MODULE	MODULE	MODULE	MODULE	MODULE
包装说明	SIMM, SSIM72	SIMM, SSIM72	SIMM, SSIM72	SIMM, SSIM72	SIMM, SSIM72	SIMM, SSIM72	SIMM, SSIM72
针数	72	72	72	72	72	72	72
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
访问模式	FAST PAGE WITH EDO	FAST PAGE WITH EDO	FAST PAGE WITH EDO	FAST PAGE WITH EDO	FAST PAGE WITH EDO	FAST PAGE WITH EDO	FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间	60 ns	70 ns	60 ns	70 ns	70 ns	60 ns	60 ns
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-XSMA-N72	R-XSMA-N72	R-XSMA-N72	R-XSMA-N72	R-XSMA-N72	R-XSMA-N72	R-XSMA-N72
内存密度	301989888 bit	301989888 bit	150994944 bit	150994944 bit	301989888 bit	301989888 bit	150994944 bit
内存集成电路类型	EDO DRAM MODULE	EDO DRAM MODULE	EDO DRAM MODULE	EDO DRAM MODULE	EDO DRAM MODULE	EDO DRAM MODULE	EDO DRAM MODULE
内存宽度	36	36	36	36	36	36	36
功能数量	1	1	1	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	72	72	72	72	72	72	72
字数	8388608 words	8388608 words	4194304 words	4194304 words	8388608 words	8388608 words	4194304 words
字数代码	8000000	8000000	4000000	4000000	8000000	8000000	4000000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	8MX36	8MX36	4MX36	4MX36	8MX36	8MX36	4MX36
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED
封装代码	SIMM	SIMM	SIMM	SIMM	SIMM	SIMM	SIMM
封装等效代码	SSIM72	SSIM72	SSIM72	SSIM72	SSIM72	SSIM72	SSIM72
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	2048	2048	2048	2048	2048	2048	2048
最大待机电流	0.024 A	0.024 A	0.012 A	0.012 A	0.024 A	0.024 A	0.012 A
最大压摆率	1.46 mA	1.34 mA	1.4 mA	1.28 mA	1.34 mA	1.46 mA	1.4 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.25 V	5.25 V	5.25 V	5.25 V	5.25 V	5.25 V	5.25 V
最小供电电压 (Vsup)	4.75 V	4.75 V	4.75 V	4.75 V	4.75 V	4.75 V	4.75 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子形式	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD
端子节距	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm
端子位置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
厂商名称	Hitachi （Renesas ）	-	Hitachi （Renesas ）	Hitachi （Renesas ）	Hitachi （Renesas ）	Hitachi （Renesas ）	Hitachi （Renesas ）

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