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IDT7134SA35FGI

产品描述Dual-Port SRAM, 4KX8, 35ns, CMOS, CQFP48, 0.750 X 0.750 INCH, 0.110 INCH HEIGHT, GREEN, CERAMIC, FP-48
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文件大小99KB,共11页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
标准  
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IDT7134SA35FGI概述

Dual-Port SRAM, 4KX8, 35ns, CMOS, CQFP48, 0.750 X 0.750 INCH, 0.110 INCH HEIGHT, GREEN, CERAMIC, FP-48

IDT7134SA35FGI规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码QFP
包装说明0.750 X 0.750 INCH, 0.110 INCH HEIGHT, GREEN, CERAMIC, FP-48
针数48
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
最长访问时间35 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码S-CQFP-F48
JESD-609代码e3
内存密度32768 bit
内存集成电路类型DUAL-PORT SRAM
内存宽度8
功能数量1
端口数量2
端子数量48
字数4096 words
字数代码4000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织4KX8
输出特性3-STATE
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码QFF
封装等效代码QFL48,.75SQ
封装形状SQUARE
封装形式FLATPACK
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)260
电源5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度2.7432 mm
最大待机电流0.03 A
最小待机电流4.5 V
最大压摆率0.3 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层MATTE TIN
端子形式FLAT
端子节距1.27 mm
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间30
Base Number Matches1
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