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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> JANHC2N2221A
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JANHC2N2221A

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-206AA, TO-18, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小43KB，共2页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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JANHC2N2221A概述

Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-206AA, TO-18, 3 PIN

JANHC2N2221A规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Microsemi
零件包装代码BCY
包装说明CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
针数3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)0.8 A
集电极-发射极最大电压50 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)20
JEDEC-95代码TO-206AA
JESD-30 代码O-MBCY-W3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）NOT SPECIFIED
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
参考标准MIL-19500/255
表面贴装NO
端子面层TIN LEAD
端子形式WIRE
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
最大关闭时间（toff）300 ns
最大开启时间（吨）35 ns
Base Number Matches1

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TECHNICAL DATA SHEET
6 Lake Street, Lawrence, MA 01841
1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803
Website: http: //www.microsemi.com
NPN SILICON SWITCHING TRANSISTOR
Qualified per MIL-PRF-19500/255
DEVICES
LEVELS
2N2221A
2N2221AL
2N2221AUA
2N2221AUB
2N2221AUBC *
*
Available to JANS quality level only.
2N2222A
2N2222AL
2N2222AUA
2N2222AUB
2N2222AUBC *
JAN
JANTX
JANTXV
JANS
JANHC
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(T
C
= +25°C unless otherwise noted)
Parameters / Test Conditions
Collector-Emitter Voltage
Collector-Base Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current
Total Power Dissipation @ T
A
= +25°C
Operating & Storage Junction Temperature Range
Symbol
V
CEO
V
CBO
V
EBO
I
C
P
T
T
op
, T
stg
Value
50
75
6.0
800
0.5
-65 to +200
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
mAdc
W
°C
TO-18 (TO-206AA)
2N2221A, 2N2222A
THERMAL CHARACTERISTICS
Parameters / Test Conditions
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
Symbol
R
θJA
Max.
325
Unit
°C/W
Note:
Consult 19500/255 for thermal performance curves.
4 PIN
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
= +25°C, unless otherwise noted)
Parameters / Test Conditions
OFF CHARACTERTICS
Collector-Emitter Breakdown Voltage
I
C
= 10mAdc
Collector-Base Cutoff Current
V
CB
= 75Vdc
V
CB
= 60Vdc
Emitter-Base Cutoff Current
V
EB
= 6.0Vdc
V
EB
= 4.0Vdc
Collector-Emitter Cutoff Current
V
CE
= 50Vdc
V
(BR)CEO
I
CBO
50
10
10
10
10
50
Vdc
μAdc
ηAdc
μAdc
ηAdc
ηAdc
2N2221AUA, 2N2222AUA
Symbol
Min.
Max.
Unit
3 PIN
2N2221AUB, 2N2222AUB
2N2221AUBC, 2N2222AUBC
(UBC = Ceramic Lid Version)
I
EBO
I
CES
T4-LDS-0060 Rev. 1 (080860)
Page 1 of 2

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JANHC2N2221A JANHC2N2221AL JANHC2N2221AUA JANHC2N2221AUB
描述 Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-206AA, TO-18, 3 PIN Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-206AA, TO-18, 3 PIN Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
是否无铅 含铅 含铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合
包装说明 CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 SMALL OUTLINE, R-XDSO-N4 SMALL OUTLINE, R-XDSO-N3
Reach Compliance Code compliant compli compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
最大集电极电流 (IC) 0.8 A 0.8 A 0.8 A 0.8 A
集电极-发射极最大电压 50 V 50 V 50 V 50 V
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 20 20 20 20
JESD-30 代码 O-MBCY-W3 O-MBCY-W3 R-XDSO-N4 R-XDSO-N3
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0
元件数量 1 1 1 1
端子数量 3 3 4 3
封装主体材料 METAL METAL UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装形状 ROUND ROUND RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 CYLINDRICAL CYLINDRICAL SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度） NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 NPN NPN NPN NPN
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
参考标准 MIL-19500/255 MIL-19500/255 MIL-19500/255 MIL-19500/255
表面贴装 NO NO YES YES
端子面层 TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD
端子形式 WIRE WIRE NO LEAD NO LEAD
端子位置 BOTTOM BOTTOM DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON
最大关闭时间（toff） 300 ns 300 ns 300 ns 300 ns
最大开启时间（吨） 35 ns 35 ns 35 ns 35 ns
Base Number Matches 1 1 1 1

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