CY14B101L-SZ25XI,CY14B101L-SZ25XI pdf中文资料,CY14B101L-SZ25XI引脚图,CY14B101L-SZ25XI电路-Datasheet-电子工程世界

CY14B101L-SZ25XI: 产品描述128K X 8 NON-VOLATILE SRAM, 35 ns, PDSO32; 产品类别存储; 文件大小646KB，共20页; 制造商Cypress(赛普拉斯)

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CY14B101L-SZ25XI概述

128K X 8 NON-VOLATILE SRAM, 35 ns, PDSO32

128K × 8 非易失性存储器, 35 ns, PDSO32

CY14B101L-SZ25XI规格参数

参数名称	属性值
功能数量	1
端子数量	32
最大工作温度	85 Cel
最小工作温度	-40 Cel
最大供电/工作电压	3.6 V
最小供电/工作电压	2.7 V
额定供电电压	3 V
最大存取时间	35 ns
加工封装描述	0.300 INCH, ROHS COMPLIANT, MO-119, SOIC-32
无铅	Yes
欧盟RoHS规范	Yes
中国RoHS规范	Yes
状态	DISCONTINUED
工艺	CMOS
包装形状	矩形的
包装尺寸	SMALL OUTLINE
表面贴装	Yes
端子形式	GULL WING
端子间距	1.27 mm
端子涂层	MATTE 锡
端子位置	双
包装材料	塑料/环氧树脂
温度等级	INDUSTRIAL
内存宽度	8
组织	128K × 8
存储密度	1.05E6 deg
操作模式	ASYNCHRONOUS
位数	131072 words
位数	128K
内存IC类型	非易失性存储器
串行并行	并行

CY14B101L-SZ25XI相似产品对比

	CY14B101L-SZ25XI	CY14B101L-SP25XI	CY14B101L-SZ25XC	CY14B101L-SZ25XIT	CY14B101L-SP25XIT	CY14B101LL-SP25XC	CY14B101LL-SP25XCT	CY14B101L_09
描述	128K X 8 NON-VOLATILE SRAM, 35 ns, PDSO32	128K X 8 NON-VOLATILE SRAM, 35 ns, PDSO32	128K X 8 NON-VOLATILE SRAM, 35 ns, PDSO32	128K X 8 NON-VOLATILE SRAM, 35 ns, PDSO32	128K X 8 NON-VOLATILE SRAM, 35 ns, PDSO32	128K X 8 NON-VOLATILE SRAM, 35 ns, PDSO32	128K X 8 NON-VOLATILE SRAM, 35 ns, PDSO32	128K X 8 NON-VOLATILE SRAM, 35 ns, PDSO32
功能数量	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	32	32	32	32	32	32	32	32
最大工作温度	85 Cel	85 Cel	85 Cel	85 Cel	85 Cel	85 Cel	85 Cel	85 Cel
最小工作温度	-40 Cel	-40 Cel	-40 Cel	-40 Cel	-40 Cel	-40 Cel	-40 Cel	-40 Cel
最大供电/工作电压	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V
最小供电/工作电压	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V
额定供电电压	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V
最大存取时间	35 ns	35 ns	35 ns	35 ns	35 ns	35 ns	35 ns	35 ns
加工封装描述	0.300 INCH, ROHS COMPLIANT, MO-119, SOIC-32	0.300 INCH, ROHS COMPLIANT, MO-119, SOIC-32	0.300 INCH, ROHS COMPLIANT, MO-119, SOIC-32	0.300 INCH, ROHS COMPLIANT, MO-119, SOIC-32	0.300 INCH, ROHS COMPLIANT, MO-119, SOIC-32	0.300 INCH, ROHS COMPLIANT, MO-119, SOIC-32	0.300 INCH, ROHS COMPLIANT, MO-119, SOIC-32	0.300 INCH, ROHS COMPLIANT, MO-119, SOIC-32
无铅	Yes	Yes	Yes	Yes	Yes	Yes	Yes	Yes
欧盟RoHS规范	Yes	Yes	Yes	Yes	Yes	Yes	Yes	Yes
中国RoHS规范	Yes	Yes	Yes	Yes	Yes	Yes	Yes	Yes
状态	DISCONTINUED	DISCONTINUED	DISCONTINUED	DISCONTINUED	DISCONTINUED	DISCONTINUED	DISCONTINUED	DISCONTINUED
工艺	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
包装形状	矩形的	矩形的	矩形的	矩形的	矩形的	矩形的	矩形的	矩形的
包装尺寸	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
表面贴装	Yes	Yes	Yes	Yes	Yes	Yes	Yes	Yes
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子间距	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm
端子涂层	MATTE 锡	MATTE 锡	MATTE 锡	MATTE 锡	MATTE 锡	MATTE 锡	MATTE 锡	MATTE 锡
端子位置	双	双	双	双	双	双	双	双
包装材料	塑料/环氧树脂	塑料/环氧树脂	塑料/环氧树脂	塑料/环氧树脂	塑料/环氧树脂	塑料/环氧树脂	塑料/环氧树脂	塑料/环氧树脂
温度等级	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL
内存宽度	8	8	8	8	8	8	8	8
组织	128K × 8	128K × 8	128K × 8	128K × 8	128K × 8	128K × 8	128K × 8	128K × 8
存储密度	1.05E6 deg	1.05E6 deg	1.05E6 deg	1.05E6 deg	1.05E6 deg	1.05E6 deg	1.05E6 deg	1.05E6 deg
操作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
内存IC类型	非易失性存储器	非易失性存储器	非易失性存储器	非易失性存储器	非易失性存储器	非易失性存储器	非易失性存储器	非易失性存储器
串行并行	并行	并行	并行	并行	并行	并行	并行	并行
位数	128K	128K	128K	128K	128K	128K	128K	128K

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