Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 1A, 600V V(RRM), Silicon,
| 参数名称 | 属性值 |
| 厂商名称 | Microsemi |
| Reach Compliance Code | unknown |
| 配置 | BRIDGE, 4 ELEMENTS |
| 二极管元件材料 | SILICON |
| 二极管类型 | BRIDGE RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF) | 1.2 V |
| JESD-30 代码 | R-PDIP-T4 |
| 最大非重复峰值正向电流 | 25 A |
| 元件数量 | 4 |
| 相数 | 1 |
| 端子数量 | 4 |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 最低工作温度 | -50 °C |
| 最大输出电流 | 1 A |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压 | 600 V |
| 最大反向电流 | 0.000003 µA |
| 表面贴装 | NO |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子位置 | DUAL |
| Base Number Matches | 1 |
| VM68 | VM88 | VM28 | |
|---|---|---|---|
| 描述 | Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 1A, 600V V(RRM), Silicon, | Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 1A, 800V V(RRM), Silicon, | Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 1A, 200V V(RRM), Silicon, |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown | unknown |
| 配置 | BRIDGE, 4 ELEMENTS | BRIDGE, 4 ELEMENTS | BRIDGE, 4 ELEMENTS |
| 二极管元件材料 | SILICON | SILICON | SILICON |
| 二极管类型 | BRIDGE RECTIFIER DIODE | BRIDGE RECTIFIER DIODE | BRIDGE RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF) | 1.2 V | 1.2 V | 1.2 V |
| JESD-30 代码 | R-PDIP-T4 | R-PDIP-T4 | R-PDIP-T4 |
| 最大非重复峰值正向电流 | 25 A | 25 A | 25 A |
| 元件数量 | 4 | 4 | 4 |
| 相数 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 4 | 4 | 4 |
| 最高工作温度 | 150 °C | 150 °C | 150 °C |
| 最低工作温度 | -50 °C | -50 °C | -50 °C |
| 最大输出电流 | 1 A | 1 A | 1 A |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE | IN-LINE | IN-LINE |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压 | 600 V | 800 V | 200 V |
| 最大反向电流 | 0.000003 µA | 0.000003 µA | 0.000003 µA |
| 表面贴装 | NO | NO | NO |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE |
| 端子位置 | DUAL | DUAL | DUAL |
| 厂商名称 | Microsemi | - | Microsemi |
| Base Number Matches | 1 | 1 | - |
| 是否Rohs认证 | - | 不符合 | 不符合 |
| JESD-609代码 | - | e0 | e0 |
| 端子面层 | - | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
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