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Y2160B1N1-S

产品描述Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 600V V(RRM), Silicon,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小53KB,共2页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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Y2160B1N1-S概述

Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 600V V(RRM), Silicon,

Y2160B1N1-S规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Microsemi
包装说明X-XXSS-X
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
最小击穿电压600 V
配置BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型BRIDGE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码X-XXSS-X
JESD-609代码e0
最大非重复峰值正向电流250 A
元件数量4
相数1
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状UNSPECIFIED
封装形式SPECIAL SHAPE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压600 V
表面贴装NO
端子面层TIN LEAD
端子形式UNSPECIFIED
端子位置UNSPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1
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