T1G6003028-SP,T1G6003028-SP pdf中文资料,T1G6003028-SP引脚图,T1G6003028-SP电路-Datasheet-电子工程世界

T1G6003028-SP: 产品描述RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Nitride, N-Channel, High Electron Mobility FET, ROHS COMPLIANT, CERAMIC PACKAGE-2; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小986KB，共12页; 制造商Qorvo; 官网地址https://www.qorvo.com; 标准

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RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Nitride, N-Channel, High Electron Mobility FET, ROHS COMPLIANT, CERAMIC PACKAGE-2

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	Qorvo
包装说明	FLATPACK, R-CDFP-F2
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
外壳连接	SOURCE
配置	SINGLE
FET 技术	HIGH ELECTRON MOBILITY
最高频带	C BAND
JESD-30 代码	R-CDFP-F2
元件数量	1
端子数量	2
工作模式	DEPLETION MODE
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLATPACK
峰值回流温度（摄氏度）	260
极性/信道类型	N-CHANNEL
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子形式	FLAT
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	30
晶体管应用	AMPLIFIER
晶体管元件材料	GALLIUM NITRIDE
Base Number Matches	1

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器件捷径: S0 S1 S2 S3 S4 S5 S6 S7 S8 S9 SA SB SC SD SE SF SG SH SI SJ SK SL SM SN SO SP SQ SR SS ST SU SV SW SX SY SZ T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7 T8 T9 TA TB TC TD TE TF TG TH TI TJ TK TL TM TN TO TP TQ TR TS TT TU TV TW TX TY TZ U0 U1 U2 U3 U4 U6 U7 U8 UA UB UC UD UE UF UG UH UI UJ UK UL UM UN UP UQ UR US UT UU UV UW UX UZ V0 V1 V2 V3 V4 V5 V6 V7 V8 V9 VA VB VC VD VE VF VG VH VI VJ VK VL VM VN VO VP VQ VR VS VT VU VV VW VX VY VZ W0 W1 W2 W3 W4 W5 W6 W7 W8 W9 WA WB WC WD WE WF WG WH WI WJ WK WL WM WN WO WP WR WS WT WU WV WW WY X0 X1 X2 X3 X4 X5 X7 X8 X9 XA XB XC XD XE XF XG XH XK XL XM XN XO XP XQ XR XS XT XU XV XW XX XY XZ Y0 Y1 Y2 Y4 Y5 Y6 Y9 YA YB YC YD YE YF YG YH YK YL YM YN YP YQ YR YS YT YX Z0 Z1 Z2 Z3 Z4 Z5 Z6 Z8 ZA ZB ZC ZD ZE ZF ZG ZH ZJ ZL ZM ZN ZP ZR ZS ZT ZU ZV ZW ZX ZY

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