Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> IS61NF25636-10B

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IS61NF25636-10B: 产品描述ZBT SRAM, 256KX36, 10ns, CMOS, PBGA119, PLASTIC, BGA-119; 产品类别存储存储; 文件大小119KB，共20页; 制造商Integrated Silicon Solution ( ISSI )

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IS61NF25636-10B概述

ZBT SRAM, 256KX36, 10ns, CMOS, PBGA119, PLASTIC, BGA-119

IS61NF25636-10B规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Integrated Silicon Solution ( ISSI )
零件包装代码	BGA
包装说明	PLASTIC, BGA-119
针数	119
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	3A991.B.2.A
最长访问时间	10 ns
最大时钟频率 (fCLK)	83 MHz
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-PBGA-B119
JESD-609代码	e0
长度	22 mm
内存密度	9437184 bit
内存集成电路类型	ZBT SRAM
内存宽度	36
功能数量	1
端子数量	119
字数	262144 words
字数代码	256000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	256KX36
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	BGA
封装等效代码	BGA119,7X17,50
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	240
电源	3.3 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	2.41 mm
最大待机电流	0.015 A
最小待机电流	3.14 V
最大压摆率	0.28 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.465 V
最小供电电压 (Vsup)	3.135 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	BALL
端子节距	1.27 mm
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	30
宽度	14 mm
Base Number Matches	1

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IS61NF25632 IS61NF25636 IS61NF51218

IS61NLF25632 IS61NLF25636 IS61NLF51218

256K x 32, 256K x 36 and 512K x 18

FLOW-THROUGH 'NO WAIT' STATE BUS

SRAM

ISSI

NOVEMBER 2002

FEATURES

•

100 percent bus utilization

No wait cycles between Read and Write

Internal self-timed write cycle

Individual Byte Write Control

Single R/W (Read/Write) control pin

Clock controlled, registered address,

data and control

Interleaved or linear burst sequence control

using MODE input

Three chip enables for simple depth expansion

and address pipelining for TQFP

Power Down mode

Common data inputs and data outputs

CKE

pin to enable clock and suspend operation

JEDEC 100-pin TQFP and 119 PBGA packages

Single +3.3V power supply (± 5%)

NF Version: 3.3V I/O Supply Voltage

NLF Version: 2.5V I/O Supply Voltage

Industrial temperature available

DESCRIPTION

The 8 Meg 'NF' product family feature high-speed,

low-power synchronous static RAMs designed to provide

a burstable, high-performance, 'no wait' state, device for

network and communications customers. They are

organized as 262,144 words by 32 bits, 262,144 words

by 36 bits and 524,288 words by 18 bits, fabricated with

ISSI

's advanced CMOS technology.

Incorporating a 'no wait' state feature, wait cycles are

eliminated when the bus switches from read to write, or

write to read. This device integrates a 2-bit burst counter,

high-speed SRAM core, and high-drive capability outputs

into a single monolithic circuit.

All synchronous inputs pass through registers are controlled

by a positive-edge-triggered single clock input. Operations

may be suspended and all synchronous inputs ignored

when Clock Enable,

CKE

is HIGH. In this state the internal

device will hold their previous values.

All Read, Write and Deselect cycles are initiated by the

ADV input. When the ADV is HIGH the internal burst

counter is incremented. New external addresses can be

loaded when ADV is LOW.

Write cycles are internally self-timed and are initiated by

the rising edge of the clock inputs and when

is LOW.

Separate byte enables allow individual bytes to be written.

A burst mode pin (MODE) defines the order of the burst

sequence. When tied HIGH, the interleaved burst sequence

is selected. When tied LOW, the linear burst sequence is

selected.

FAST ACCESS TIME

Symbol

Parameter

Clock Access Time

Cycle Time

Frequency

-10

Units

MHz

This document contains PRELIMINARY INFORMATION data. ISSI reserves the right to make changes to its products at any time without notice in order to improve design and supply the

Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774

Rev. A

11/21/02

IS61NF25636-10B相似产品对比

	IS61NF25636-10B	IS61NLF51218-10TQI	IS61NF25636-10BI	IS61NF25632-10TQI	IS61NLF25636-10TQI	IS61NF51218-10B	IS61NLF25636-10TQ
描述	ZBT SRAM, 256KX36, 10ns, CMOS, PBGA119, PLASTIC, BGA-119	ZBT SRAM, 512KX18, 10ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100	ZBT SRAM, 256KX36, 10ns, CMOS, PBGA119, PLASTIC, BGA-119	ZBT SRAM, 256KX32, 10ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100	ZBT SRAM, 256KX36, 10ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100	ZBT SRAM, 512KX18, 10ns, CMOS, PBGA119, PLASTIC, BGA-119	ZBT SRAM, 256KX36, 10ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100
是否无铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
零件包装代码	BGA	QFP	BGA	QFP	QFP	BGA	QFP
包装说明	PLASTIC, BGA-119	TQFP-100	PLASTIC, BGA-119	TQFP-100	TQFP-100	PLASTIC, BGA-119	TQFP-100
针数	119	100	119	100	100	119	100
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compli	compli
ECCN代码	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A
最长访问时间	10 ns	10 ns	10 ns	10 ns	10 ns	10 ns	10 ns
最大时钟频率 (fCLK)	83 MHz	83 MHz	83 MHz	83 MHz	83 MHz	83 MHz	83 MHz
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-PBGA-B119	R-PQFP-G100	R-PBGA-B119	R-PQFP-G100	R-PQFP-G100	R-PBGA-B119	R-PQFP-G100
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0
长度	22 mm	20 mm	22 mm	20 mm	20 mm	22 mm	20 mm
内存密度	9437184 bit	9437184 bit	9437184 bit	8388608 bit	9437184 bit	9437184 bi	9437184 bi
内存集成电路类型	ZBT SRAM	ZBT SRAM	ZBT SRAM	ZBT SRAM	ZBT SRAM	ZBT SRAM	ZBT SRAM
内存宽度	36	18	36	32	36	18	36
功能数量	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	119	100	119	100	100	119	100
字数	262144 words	524288 words	262144 words	262144 words	262144 words	524288 words	262144 words
字数代码	256000	512000	256000	256000	256000	512000	256000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	70 °C	70 °C
最低工作温度	-	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-	-
组织	256KX36	512KX18	256KX36	256KX32	256KX36	512KX18	256KX36
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	BGA	LQFP	BGA	LQFP	LQFP	BGA	LQFP
封装等效代码	BGA119,7X17,50	QFP100,.63X.87	BGA119,7X17,50	QFP100,.63X.87	QFP100,.63X.87	BGA119,7X17,50	QFP100,.63X.87
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY	FLATPACK, LOW PROFILE	GRID ARRAY	FLATPACK, LOW PROFILE	FLATPACK, LOW PROFILE	GRID ARRAY	FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	240	240	240	240	240	240	240
电源	3.3 V	2.5,3.3 V	3.3 V	3.3 V	2.5,3.3 V	3.3 V	2.5,3.3 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	2.41 mm	1.6 mm	2.41 mm	1.6 mm	1.6 mm	2.41 mm	1.6 mm
最大待机电流	0.015 A	0.02 A	0.02 A	0.02 A	0.02 A	0.015 A	0.015 A
最小待机电流	3.14 V	3.14 V	3.14 V	3.14 V	3.14 V	3.14 V	3.14 V
最大压摆率	0.28 mA	0.3 mA	0.3 mA	0.3 mA	0.3 mA	0.28 mA	0.28 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.465 V	3.465 V	3.465 V	3.465 V	3.465 V	3.465 V	3.465 V
最小供电电压 (Vsup)	3.135 V	3.135 V	3.135 V	3.135 V	3.135 V	3.135 V	3.135 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	BALL	GULL WING	BALL	GULL WING	GULL WING	BALL	GULL WING
端子节距	1.27 mm	0.65 mm	1.27 mm	0.65 mm	0.65 mm	1.27 mm	0.65 mm
端子位置	BOTTOM	QUAD	BOTTOM	QUAD	QUAD	BOTTOM	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间	30	30	30	30	30	30	30
宽度	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm
厂商名称	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	-	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )
Base Number Matches	1	1	1	1	-	-	-

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