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M24C02-WBN3G/G

产品描述256X8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDIP8, LEAD FREE, PLASTIC, DIP-8
产品类别存储    存储   
文件大小524KB,共28页
制造商ST(意法半导体)
官网地址http://www.st.com/
标准  
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M24C02-WBN3G/G概述

256X8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDIP8, LEAD FREE, PLASTIC, DIP-8

M24C02-WBN3G/G规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称ST(意法半导体)
零件包装代码DIP
包装说明DIP, DIP8,.3
针数8
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
最大时钟频率 (fCLK)0.4 MHz
数据保留时间-最小值40
耐久性1000000 Write/Erase Cycles
I2C控制字节1010DDDR
JESD-30 代码R-PDIP-T8
JESD-609代码e3
长度9.27 mm
内存密度2048 bit
内存集成电路类型EEPROM
内存宽度8
功能数量1
端子数量8
字数256 words
字数代码256
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-40 °C
组织256X8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码DIP
封装等效代码DIP8,.3
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行SERIAL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源3/5 V
认证状态Not Qualified
筛选级别AEC-Q100
座面最大高度5.33 mm
串行总线类型I2C
最大待机电流0.000002 A
最大压摆率0.003 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)2.5 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级AUTOMOTIVE
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度7.62 mm
最长写入周期时间 (tWC)10 ms
写保护HARDWARE
Base Number Matches1
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