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GS832236AGD-200

产品描述Cache SRAM, 1MX36, 6.5ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FPBGA-165
产品类别存储    存储   
文件大小576KB,共39页
制造商GSI Technology
官网地址http://www.gsitechnology.com/
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GS832236AGD-200在线购买

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GS832236AGD-200概述

Cache SRAM, 1MX36, 6.5ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FPBGA-165

GS832236AGD-200规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称GSI Technology
零件包装代码BGA
包装说明LBGA, BGA165,11X15,40
针数165
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码3A991.B.2.B
Factory Lead Time8 weeks
最长访问时间6.5 ns
其他特性ALSO OPERATES AT 3.3V SUPPLY, PIPELINED ARCHITECTURE, FLOW THROUGH
最大时钟频率 (fCLK)200 MHz
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PBGA-B165
JESD-609代码e1
长度15 mm
内存密度37748736 bit
内存集成电路类型CACHE SRAM
内存宽度36
湿度敏感等级3
功能数量1
端子数量165
字数1048576 words
字数代码1000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织1MX36
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码LBGA
封装等效代码BGA165,11X15,40
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, LOW PROFILE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)260
电源2.5/3.3 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.4 mm
最大待机电流0.03 A
最小待机电流2.3 V
最大压摆率0.225 mA
最大供电电压 (Vsup)2.7 V
最小供电电压 (Vsup)2.3 V
标称供电电压 (Vsup)2.5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式BALL
端子节距1 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度13 mm
Base Number Matches1
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