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HB56D136BW-8C

产品描述Fast Page DRAM Module, 1MX36, 80ns, CMOS, SIMM-72
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文件大小9KB,共2页
制造商Hitachi (Renesas )
官网地址http://www.renesas.com/eng/
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HB56D136BW-8C概述

Fast Page DRAM Module, 1MX36, 80ns, CMOS, SIMM-72

HB56D136BW-8C规格参数

参数名称属性值
厂商名称Hitachi (Renesas )
零件包装代码SIMM
包装说明SIMM, SSIM72
针数72
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
访问模式FAST PAGE
最长访问时间80 ns
其他特性RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-XSMA-N72
内存密度37748736 bit
内存集成电路类型FAST PAGE DRAM MODULE
内存宽度36
功能数量1
端口数量1
端子数量72
字数1048576 words
字数代码1000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织1MX36
输出特性3-STATE
封装主体材料UNSPECIFIED
封装代码SIMM
封装等效代码SSIM72
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源5 V
认证状态Not Qualified
刷新周期1024
座面最大高度25.4 mm
最大待机电流0.01 A
最大压摆率0.84 mA
最大供电电压 (Vsup)5.25 V
最小供电电压 (Vsup)4.75 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式NO LEAD
端子节距1.27 mm
端子位置SINGLE
Base Number Matches1

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HB56D136 Series
1,048,576-word
×
36-bit High Density Dynamic RAM Module
Description
The HB56D136 is a 1-M
×
36-bit dynamic RAM module, mounted 8 pieces of 4 Mbit DRAM
(HM514400CS/CLS) sealed in SOJ package and 2 pieces of 2 Mbit DRAM (HM512200BS/BLS) sealed in
SOJ package. An outline of the HB56D136 is 72-pin single in-line package.
Therefore, the HB56D136 makes high density mounting possible without surface mount technology. The
HB56D136 provides common data inputs and outputs. Decoupling capacitors are mounted beneath each SOJ.
Features
72-pin
Lead pitch: 1.27 mm
Single 5 V (±5%) supply
High speed
Access time: 60 ns/70 ns/80 ns (max)
Low power dissipation
Active mode: 5.46 W/4.94 W/4.41 W (max)
Standby mode: 105 mW (max)
5.25 mW (max) (L-version)
Fast page mode capability
1,024 refresh cycle: 16 ms
128 ms (L-version)
3 variations of refresh
RAS
only refresh
CAS-before-RAS
refresh
Hidden refresh
TTL compatible

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