HYM5V64414CKG-70,HYM5V64414CKG-70 pdf中文资料,HYM5V64414CKG-70引脚图,HYM5V64414CKG-70电路-Datasheet-电子工程世界

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HYM5V64414CKG-70: 产品描述EDO DRAM Module, 4MX64, 70ns, CMOS, PDMA168, DIMM-168; 产品类别存储存储; 文件大小418KB，共11页; 制造商SK Hynix(海力士); 官网地址http://www.hynix.com/eng/

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HYM5V64414CKG-70概述

EDO DRAM Module, 4MX64, 70ns, CMOS, PDMA168, DIMM-168

HYM5V64414CKG-70规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	SK Hynix(海力士)
零件包装代码	DIMM
包装说明	,
针数	168
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
访问模式	FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间	70 ns
其他特性	CAS BEFORE RAS/RAS ONLY/HIDDEN/ SELF REFRESH
JESD-30 代码	R-PDMA-N168
内存密度	268435456 bit
内存集成电路类型	EDO DRAM MODULE
内存宽度	64
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	168
字数	4194304 words
字数代码	4000000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	4MX64
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
认证状态	Not Qualified
自我刷新	YES
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子形式	NO LEAD
端子位置	DUAL
Base Number Matches	1

HYM5V64414CKG-70相似产品对比

	HYM5V64414CKG-70	HYM5V64414CKG-80	HYM5V64414CTKG-70	HYM5V64414CKG-60	HYM5V64414CTKG-60	HYM5V64414CTKG-80
描述	EDO DRAM Module, 4MX64, 70ns, CMOS, PDMA168, DIMM-168	EDO DRAM Module, 4MX64, 80ns, CMOS, PDMA168, DIMM-168	EDO DRAM Module, 4MX64, 70ns, CMOS, PDMA168, DIMM-168	EDO DRAM Module, 4MX64, 60ns, CMOS, PDMA168, DIMM-168	EDO DRAM Module, 4MX64, 60ns, CMOS, PDMA168, DIMM-168	EDO DRAM Module, 4MX64, 80ns, CMOS, PDMA168, DIMM-168
厂商名称	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)
零件包装代码	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM
针数	168	168	168	168	168	168
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknow
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
访问模式	FAST PAGE WITH EDO	FAST PAGE WITH EDO	FAST PAGE WITH EDO	FAST PAGE WITH EDO	FAST PAGE WITH EDO	FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间	70 ns	80 ns	70 ns	60 ns	60 ns	80 ns
其他特性	CAS BEFORE RAS/RAS ONLY/HIDDEN/ SELF REFRESH	CAS BEFORE RAS/RAS ONLY/HIDDEN/ SELF REFRESH	CAS BEFORE RAS/RAS ONLY/HIDDEN/ SELF REFRESH	CAS BEFORE RAS/RAS ONLY/HIDDEN/ SELF REFRESH	CAS BEFORE RAS/RAS ONLY/HIDDEN/ SELF REFRESH	CAS BEFORE RAS/RAS ONLY/HIDDEN/ SELF REFRESH
JESD-30 代码	R-PDMA-N168	R-PDMA-N168	R-PDMA-N168	R-PDMA-N168	R-PDMA-N168	R-PDMA-N168
内存密度	268435456 bit	268435456 bit	268435456 bit	268435456 bit	268435456 bit	268435456 bi
内存集成电路类型	EDO DRAM MODULE	EDO DRAM MODULE	EDO DRAM MODULE	EDO DRAM MODULE	EDO DRAM MODULE	EDO DRAM MODULE
内存宽度	64	64	64	64	64	64
功能数量	1	1	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1	1	1
端子数量	168	168	168	168	168	168
字数	4194304 words	4194304 words	4194304 words	4194304 words	4194304 words	4194304 words
字数代码	4000000	4000000	4000000	4000000	4000000	4000000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	4MX64	4MX64	4MX64	4MX64	4MX64	4MX64
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
自我刷新	YES	YES	YES	YES	YES	YES
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子形式	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL

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