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HB56TW432D-8AL

产品描述Fast Page DRAM Module, 4MX32, 80ns, CMOS, DIMM-72
产品类别存储    存储   
文件大小132KB,共8页
制造商Hitachi (Renesas )
官网地址http://www.renesas.com/eng/
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HB56TW432D-8AL概述

Fast Page DRAM Module, 4MX32, 80ns, CMOS, DIMM-72

HB56TW432D-8AL规格参数

参数名称属性值
厂商名称Hitachi (Renesas )
零件包装代码DIMM
包装说明,
针数72
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
访问模式FAST PAGE
最长访问时间80 ns
其他特性RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/SELF REFRESH
备用内存宽度16
JESD-30 代码R-XDMA-N72
内存密度134217728 bit
内存集成电路类型FAST PAGE DRAM MODULE
内存宽度32
功能数量1
端口数量1
端子数量72
字数4194304 words
字数代码4000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织4MX32
输出特性3-STATE
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
认证状态Not Qualified
刷新周期4096
自我刷新YES
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式NO LEAD
端子位置DUAL
Base Number Matches1

HB56TW432D-8AL相似产品对比

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描述 Fast Page DRAM Module, 4MX32, 80ns, CMOS, DIMM-72 Fast Page DRAM Module, 4MX32, 60ns, CMOS, DIMM-72 Fast Page DRAM Module, 4MX32, 60ns, CMOS, DIMM-72 Fast Page DRAM Module, 4MX32, 70ns, CMOS, DIMM-72 Fast Page DRAM Module, 4MX32, 70ns, CMOS, DIMM-72 Fast Page DRAM Module, 4MX32, 80ns, CMOS, DIMM-72
厂商名称 Hitachi (Renesas ) Hitachi (Renesas ) Hitachi (Renesas ) Hitachi (Renesas ) Hitachi (Renesas ) Hitachi (Renesas )
零件包装代码 DIMM DIMM DIMM DIMM DIMM DIMM
针数 72 72 72 72 72 72
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
访问模式 FAST PAGE FAST PAGE FAST PAGE FAST PAGE FAST PAGE FAST PAGE
最长访问时间 80 ns 60 ns 60 ns 70 ns 70 ns 80 ns
其他特性 RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/SELF REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/SELF REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/SELF REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
备用内存宽度 16 16 16 16 16 16
JESD-30 代码 R-XDMA-N72 R-XDMA-N72 R-XDMA-N72 R-XDMA-N72 R-XDMA-N72 R-XDMA-N72
内存密度 134217728 bit 134217728 bit 134217728 bit 134217728 bit 134217728 bit 134217728 bit
内存集成电路类型 FAST PAGE DRAM MODULE FAST PAGE DRAM MODULE FAST PAGE DRAM MODULE FAST PAGE DRAM MODULE FAST PAGE DRAM MODULE FAST PAGE DRAM MODULE
内存宽度 32 32 32 32 32 32
功能数量 1 1 1 1 1 1
端口数量 1 1 1 1 1 1
端子数量 72 72 72 72 72 72
字数 4194304 words 4194304 words 4194304 words 4194304 words 4194304 words 4194304 words
字数代码 4000000 4000000 4000000 4000000 4000000 4000000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 4MX32 4MX32 4MX32 4MX32 4MX32 4MX32
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
刷新周期 4096 4096 4096 4096 4096 4096
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V
表面贴装 NO NO NO NO NO NO
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子形式 NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
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