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HYM7V64400BLTKG-12

产品描述Synchronous DRAM Module, 4MX72, 8.5ns, CMOS, PDMA168, DIMM-168
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文件大小525KB,共13页
制造商SK Hynix(海力士)
官网地址http://www.hynix.com/eng/
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HYM7V64400BLTKG-12概述

Synchronous DRAM Module, 4MX72, 8.5ns, CMOS, PDMA168, DIMM-168

HYM7V64400BLTKG-12规格参数

参数名称属性值
厂商名称SK Hynix(海力士)
零件包装代码DIMM
包装说明,
针数168
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
访问模式DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间8.5 ns
其他特性AUTO REFRESH
JESD-30 代码R-PDMA-N168
内存密度301989888 bit
内存集成电路类型SYNCHRONOUS DRAM MODULE
内存宽度72
功能数量1
端口数量1
端子数量168
字数4194304 words
字数代码4000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织4MX72
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
认证状态Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式NO LEAD
端子位置DUAL
Base Number Matches1

HYM7V64400BLTKG-12相似产品对比

HYM7V64400BLTKG-12 HYM7V64400BTKG-12 HYM7V64400BLTKG-10 HYM7V64400BLTKG-15 HYM7V64400BTKG-15 HYM7V64400BTKG-10
描述 Synchronous DRAM Module, 4MX72, 8.5ns, CMOS, PDMA168, DIMM-168 Synchronous DRAM Module, 4MX72, 8.5ns, CMOS, PDMA168, DIMM-168 Synchronous DRAM Module, 4MX72, 8ns, CMOS, PDMA168, DIMM-168 Synchronous DRAM Module, 4MX72, 9ns, CMOS, PDMA168, DIMM-168 Synchronous DRAM Module, 4MX72, 9ns, CMOS, PDMA168, DIMM-168 Synchronous DRAM Module, 4MX72, 8ns, CMOS, PDMA168, DIMM-168
厂商名称 SK Hynix(海力士) SK Hynix(海力士) SK Hynix(海力士) SK Hynix(海力士) SK Hynix(海力士) SK Hynix(海力士)
零件包装代码 DIMM DIMM DIMM DIMM DIMM DIMM
针数 168 168 168 168 168 168
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
访问模式 DUAL BANK PAGE BURST DUAL BANK PAGE BURST DUAL BANK PAGE BURST DUAL BANK PAGE BURST DUAL BANK PAGE BURST DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间 8.5 ns 8.5 ns 8 ns 9 ns 9 ns 8 ns
其他特性 AUTO REFRESH AUTO REFRESH AUTO REFRESH AUTO REFRESH AUTO REFRESH AUTO REFRESH
JESD-30 代码 R-PDMA-N168 R-PDMA-N168 R-PDMA-N168 R-PDMA-N168 R-PDMA-N168 R-PDMA-N168
内存密度 301989888 bit 301989888 bit 301989888 bit 301989888 bit 301989888 bit 301989888 bi
内存集成电路类型 SYNCHRONOUS DRAM MODULE SYNCHRONOUS DRAM MODULE SYNCHRONOUS DRAM MODULE SYNCHRONOUS DRAM MODULE SYNCHRONOUS DRAM MODULE SYNCHRONOUS DRAM MODULE
内存宽度 72 72 72 72 72 72
功能数量 1 1 1 1 1 1
端口数量 1 1 1 1 1 1
端子数量 168 168 168 168 168 168
字数 4194304 words 4194304 words 4194304 words 4194304 words 4194304 words 4194304 words
字数代码 4000000 4000000 4000000 4000000 4000000 4000000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 4MX72 4MX72 4MX72 4MX72 4MX72 4MX72
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V
表面贴装 NO NO NO NO NO NO
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子形式 NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL

 
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