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HB56D436SBR-8A

产品描述Fast Page DRAM Module, 4MX36, 80ns, CMOS, SIMM-72
产品类别存储    存储   
文件大小207KB,共10页
制造商Hitachi (Renesas )
官网地址http://www.renesas.com/eng/
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HB56D436SBR-8A概述

Fast Page DRAM Module, 4MX36, 80ns, CMOS, SIMM-72

HB56D436SBR-8A规格参数

参数名称属性值
厂商名称Hitachi (Renesas )
零件包装代码SIMM
包装说明,
针数72
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
访问模式FAST PAGE
最长访问时间80 ns
其他特性RAS ONLY/CAS BEFORE RAS REFRESH
备用内存宽度18
JESD-30 代码R-XSMA-N72
内存密度150994944 bit
内存集成电路类型FAST PAGE DRAM MODULE
内存宽度36
功能数量1
端口数量1
端子数量72
字数4194304 words
字数代码4000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织4MX36
输出特性3-STATE
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
认证状态Not Qualified
刷新周期2048
最大供电电压 (Vsup)5.25 V
最小供电电压 (Vsup)4.75 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式NO LEAD
端子位置SINGLE
Base Number Matches1
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