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HB56SW464DB-6L: 产品描述EDO DRAM Module, 4MX64, 60ns, CMOS, SODIMM-144; 产品类别存储存储; 文件大小444KB，共32页; 制造商Hitachi （Renesas ）; 官网地址http://www.renesas.com/eng/

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HB56SW464DB-6L概述

EDO DRAM Module, 4MX64, 60ns, CMOS, SODIMM-144

HB56SW464DB-6L规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	Hitachi （Renesas ）
零件包装代码	MODULE
包装说明	DIMM, DIMM144,32
针数	144
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
访问模式	FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间	60 ns
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-XDMA-N144
内存密度	268435456 bit
内存集成电路类型	EDO DRAM MODULE
内存宽度	64
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	144
字数	4194304 words
字数代码	4000000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	4MX64
输出特性	3-STATE
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装代码	DIMM
封装等效代码	DIMM144,32
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源	3.3 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	4096
自我刷新	NO
最大待机电流	0.0024 A
最大压摆率	1.28 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3.15 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子形式	NO LEAD
端子节距	0.8 mm
端子位置	DUAL
Base Number Matches	1

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HB56SW464DB Series

4,194,304-word

64-bit High Density Dynamic RAM Module

ADE-203-758A (Z)

Rev. 1.0

Mar. 20, 1997

Description

The HB56SW464DB is a 4M

64 dynamic RAM Small Outline Dual In-line Memory Module

(S.O.DIMM), mounted 16 pieces of 16-Mbit DRAM (HM51W16405) sealed in TCP package and 1 piece

of serial EEPROM (24C02) for Presence Detect (PD). The HB56SW464DB offers Extended Data Out

(EDO) Page Mode as a high speed access mode. An outline of the HB56SW464DB is 144-pin Zig Zag

Dual tabs socket type compact and thin package. Therefore, the HB56SW464DB makes high density

mounting possible without surface mount technology. The HB56SW464DB provides common data inputs

and outputs. Decoupling capacitors are mounted beside each TCP on the module board.

Features

•

144-pin Zig Zag Dual tabs socket type



Lead pitch: 0.80 mm

•

Single 3.3 V (+0.3, –0.15 V) supply

•

High speed



Access time: t

RAC

= 60/70 ns (max)

CAC

= 15/18 ns (max)

•

Low power dissipation



Active mode: 4.61/4.03 W (max)



Standby mode (TTL): 115.2 mW (max)

(CMOS): 57.6 mW (max)

(CMOS): 8.64 mW (max) (L-version)

•

EDO mode capability

•

Refresh period



4096 refresh cycles: 64 ms

128 ms (L-version)

•

3 variations of refresh



RAS-only

refresh



CAS-before-RAS

refresh



Self refresh (only LS-version)

HB56SW464DB-6L相似产品对比

	HB56SW464DB-6L	HB56SW464DB-6	HB56SW464DB-6LS	HB56SW464DB-7L	HB56SW464DB-7LS	HB56SW464DB-7
描述	EDO DRAM Module, 4MX64, 60ns, CMOS, SODIMM-144	EDO DRAM Module, 4MX64, 60ns, CMOS, SODIMM-144	EDO DRAM Module, 4MX64, 60ns, CMOS, SODIMM-144	EDO DRAM Module, 4MX64, 70ns, CMOS, SODIMM-144	EDO DRAM Module, 4MX64, 70ns, CMOS, SODIMM-144	EDO DRAM Module, 4MX64, 70ns, CMOS, SODIMM-144
厂商名称	Hitachi （Renesas ）	Hitachi （Renesas ）	Hitachi （Renesas ）	Hitachi （Renesas ）	Hitachi （Renesas ）	Hitachi （Renesas ）
零件包装代码	MODULE	MODULE	MODULE	MODULE	MODULE	MODULE
包装说明	DIMM, DIMM144,32	DIMM, DIMM144,32	DIMM, DIMM144,32	DIMM, DIMM144,32	DIMM, DIMM144,32	DIMM, DIMM144,32
针数	144	144	144	144	144	144
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
访问模式	FAST PAGE WITH EDO	FAST PAGE WITH EDO	FAST PAGE WITH EDO	FAST PAGE WITH EDO	FAST PAGE WITH EDO	FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间	60 ns	60 ns	60 ns	70 ns	70 ns	70 ns
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-XDMA-N144	R-XDMA-N144	R-XDMA-N144	R-XDMA-N144	R-XDMA-N144	R-XDMA-N144
内存密度	268435456 bit	268435456 bit	268435456 bit	268435456 bit	268435456 bit	268435456 bit
内存集成电路类型	EDO DRAM MODULE	EDO DRAM MODULE	EDO DRAM MODULE	EDO DRAM MODULE	EDO DRAM MODULE	EDO DRAM MODULE
内存宽度	64	64	64	64	64	64
功能数量	1	1	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1	1	1
端子数量	144	144	144	144	144	144
字数	4194304 words	4194304 words	4194304 words	4194304 words	4194304 words	4194304 words
字数代码	4000000	4000000	4000000	4000000	4000000	4000000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	4MX64	4MX64	4MX64	4MX64	4MX64	4MX64
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED
封装代码	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM
封装等效代码	DIMM144,32	DIMM144,32	DIMM144,32	DIMM144,32	DIMM144,32	DIMM144,32
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	4096	4096	4096	4096	4096	4096
自我刷新	NO	NO	YES	NO	YES	NO
最大待机电流	0.0024 A	0.016 A	0.0024 A	0.0024 A	0.0024 A	0.016 A
最大压摆率	1.28 mA	1.28 mA	1.28 mA	1.12 mA	1.12 mA	1.12 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3.15 V	3.15 V	3.15 V	3.15 V	3.15 V	3.15 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子形式	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD
端子节距	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL

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