IGBT
■回路図 CIRCUIT
50 A 1200 V
PTMB5012
（単½ Dimension：mm）
■外½寸法図 OUTLINE DRAWING
1
8
9
5
10
11
12
13
6
14
15
16
17
7
18
19
2
3
4
■最大定格 Maximum Ratings（T
C
＝25℃）
項 目
Item
コレクタ・エミッタ間電圧
Collector-Emitter Voltage
ゲート・エミッタ間電圧
Gate-Emitter Voltage
コレクタ電流
Collector Current
順電流
Forward Current
DC
1ms
DC
1ms
記号
Symbol
V
CES
V
GES
I
C
I
CP
I
F
I
FM
P
C
T
j
T
stg
V
iso
F
tor
1.4（14.3）
定 格 値
Rated Value
1200
±20
50
100
50
100
400
−40∼＋150
−40∼＋125
2500
1.2（20.4）
単½
Unit
V
V
A
A
W
℃
℃
V
（RMS）
N m
・
（kgf cm）
・
コレクタ損失
Collector Power Dissipation
接合温度
Junction Temperature Range
保存温度
Storage Temperature Range
絶縁耐圧
（端子−ベース間，AC１分間）
Isolation Voltage Terminal to Base, AC１min.）
（
ベース取付部
Module Base to Heatsink
締付トルク
Mounting Torque 端子部
Busbar to Terminal
■電気的特性 Electrical Characteristics（T
C
＝25℃）
項 目
Characteristic
コレクタ遮断電流
Collector-Emitter Cut-Off Current
ゲート漏れ電流
Gate-Emitter Leakage Current
コレクタ・エミッタ間½和電圧
Collector-Emitter Saturation Voltage
ゲートしきい値電圧
Gate-Emitter Threshold Voltage
入力容量
Input Capacitance
スイッチング時間
Switching Time
上昇時間
Rise Time
ターン・オン時間
Turn-On Time
下降時間
Fall Time
ターン・オフ時間
Turn-Off Time
記号
Symbol
I
CES
I
GES
V
CE sat）
（
V
GE th）
（
C
ies
t
r
t
on
t
f
t
off
V
F
t
rr
条 件
Test Conditions
V
CE
＝1200V, V
GE
＝0V
V
GE
＝±20V, V
CE
＝0V
I
C
＝50A, V
GE
＝15V
V
CE
＝5V, I
C
＝50mA
V
CE
＝10V, V
GE
＝0V, f＝1MHz
V
CC
＝600V
R
L
＝12Ω
R
G
＝24Ω
V
GE
＝±15V
I
F
＝50A, V
GE
＝0V
I
F
＝50A, V
GE
＝−10V
di/dt＝100A/ s
μ
最小
Min.
─
─
─
3.0
─
─
─
─
─
─
─
標準
Typ.
─
─
3.0
─
5200
0.2
0.3
0.3
0.8
2.5
0.2
最大
Max.
1.0
500
3.5
6.0
─
0.6
0.8
0.5
1.5
3.3
0.35
単½
Unit
mA
nA
V
V
pF
μ
s
順電圧
Peak Forward Voltage
逆回復時間
Reverse Recovery Time
V
μ
s
Ｉ
Ｇ
Ｂ
Ｔ
モ
ジ
ュ
ー
ル
─ 424 ─
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