Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> IS62WV5128DBLL-45HLI

IS62WV5128DBLL-45HLI: 产品描述Standard SRAM, 512KX8, 45ns, CMOS, PDSO32, 8 X 13.40 MM, LEAD FREE, MO-183, STSOP1-32; 产品类别存储存储; 文件大小444KB，共18页; 制造商Integrated Silicon Solution ( ISSI ); 标准

下载文档详细参数选型对比全文预览

IS62WV5128DBLL-45HLI在线购买

供应商	器件名称	价格	最低购买	库存
	IS62WV5128DBLL-45HLI	-	-	点击查看	点击购买

IS62WV5128DBLL-45HLI概述

Standard SRAM, 512KX8, 45ns, CMOS, PDSO32, 8 X 13.40 MM, LEAD FREE, MO-183, STSOP1-32

IS62WV5128DBLL-45HLI规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
零件包装代码	TSOP1
包装说明	TSOP1, TSSOP32,.56,20
针数	32
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	3A991.B.2.A
Factory Lead Time	8 weeks
最长访问时间	45 ns
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-PDSO-G32
长度	11.8 mm
内存密度	4194304 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM
内存宽度	8
功能数量	1
端子数量	32
字数	524288 words
字数代码	512000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	512KX8
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSOP1
封装等效代码	TSSOP32,.56,20
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行	PARALLEL
电源	2.5/3.3 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.2 mm
最大待机电流	0.000007 A
最小待机电流	1.2 V
最大压摆率	0.02 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	2.3 V
标称供电电压 (Vsup)	3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子形式	GULL WING
端子节距	0.5 mm
端子位置	DUAL
宽度	8 mm
Base Number Matches	1

文档预览

下载PDF文档

全文
预览

IS62WV5128DALL/DBLL, IS65WV5128DALL/DBLL

512K x 8 LOW VOLTAGE,

ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM

FEATURES

• High-speed access time: 35, 45, 55 ns

• CMOS low power operation

36 mW (typical) operating

9 µW (typical) CMOS standby

• TTL compatible interface levels

• Single power supply

1.65V – 2.2V V

(IS62WV5128dALL)

2.3V – 3.6V V

(IS62WV5128dBLL)

• Fully static operation: no clock or refresh

required

• Three state outputs

• Industrial and Automotive temperature support

• Lead-free available

FEBRUARY 2012

DESCRIPTION

The

ISSI

IS62WV5128DALL / IS62WV5128DBLL are

high-speed, 4M bit static RAMs organized as 512K words

by 8 bits. It is fabricated using

ISSI

's high-performance

CMOS technology. This highly reliable process coupled

with innovative circuit design techniques, yields high-

performance and low power consumption devices.

When

CS1

is HIGH (deselected) the device assumes

a standby mode at which the power dissipation can be

reduced down with CMOS input levels.

Easy memory expansion is provided by using Chip Enable

and Output Enable inputs. The active LOW Write Enable

(WE) controls both writing and reading of the memory.

The IS62WV5128DALL and IS62WV5128DBLL are

packaged in the JEDEC standard 32-pin TSOP (TYPE

I), 32-pin sTSOP (TYPE I), 32-pin TSOP (Type II), 32-pin

SOP and 36-pin mini BGA.

FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM

A0-A18

DECODER

512K x 8

MEMORY ARRAY

GND

I/O

DATA

CIRCUIT

I/O0-I/O7

COLUMN I/O

CS1

CONTROL

CIRCUIT

notice. ISSI assumes no liability arising out of the application or use of any information, products or services described herein. Customers are advised to obtain the lat-

est version of this device specification before relying on any published information and before placing orders for products.

Integrated Silicon Solution, Inc. does not recommend the use of any of its products in life support applications where the failure or malfunction of the product can reason-

ably be expected to cause failure of the life support system or to significantly affect its safety or effectiveness. Products are not authorized for use in such applications

unless Integrated Silicon Solution, Inc. receives written assurance to its satisfaction, that:

a.) the risk of injury or damage has been minimized;

b.) the user assume all such risks; and

c.) potential liability of Integrated Silicon Solution, Inc is adequately protected under the circumstances

Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com —

1-800-379-4774

Rev. A

02/09/2012

IS62WV5128DBLL-45HLI相似产品对比

	IS62WV5128DBLL-45HLI	IS62WV5128DBLL-45BLI	IS62WV5128DBLL-45TLI	IS62WV5128DBLL-45T2LI
描述	Standard SRAM, 512KX8, 45ns, CMOS, PDSO32, 8 X 13.40 MM, LEAD FREE, MO-183, STSOP1-32	Standard SRAM, 512KX8, 45ns, CMOS, PBGA36, 6 X 8 MM, LEAD FREE, MO-207, TFBGA-36	Standard SRAM, 512KX8, 45ns, CMOS, PDSO32, 8 X 20 MM, LEAD FREE, TSOP1-32	Standard SRAM, 512KX8, 45ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, LEAD FREE, TSOP2-32
是否Rohs认证	符合	符合	符合	符合
零件包装代码	TSOP1	DSBGA	TSOP1	TSOP2
包装说明	TSOP1, TSSOP32,.56,20	TFBGA, BGA36,6X8,30	TSOP1, TSSOP32,.8,20	TSOP2, TSOP32,.46
针数	32	36	32	32
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compliant
ECCN代码	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A
最长访问时间	45 ns	45 ns	45 ns	45 ns
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-PDSO-G32	R-PBGA-B36	R-PDSO-G32	R-PDSO-G32
长度	11.8 mm	8 mm	20 mm	20.95 mm
内存密度	4194304 bit	4194304 bit	4194304 bit	4194304 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM
内存宽度	8	8	8	8
功能数量	1	1	1	1
端子数量	32	36	32	32
字数	524288 words	524288 words	524288 words	524288 words
字数代码	512000	512000	512000	512000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C
最低工作温度	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C
组织	512KX8	512KX8	512KX8	512KX8
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSOP1	TFBGA	TSOP1	TSOP2
封装等效代码	TSSOP32,.56,20	BGA36,6X8,30	TSSOP32,.8,20	TSOP32,.46
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
电源	2.5/3.3 V	2.5/3.3 V	2.5/3.3 V	2.5/3.3 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm
最大待机电流	0.000007 A	0.000007 A	0.000007 A	0.000007 A
最小待机电流	1.2 V	1.2 V	1.2 V	1.2 V
最大压摆率	0.02 mA	0.02 mA	0.02 mA	0.02 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	2.3 V	2.3 V	2.3 V	2.3 V
标称供电电压 (Vsup)	3 V	3 V	3 V	3 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL
端子形式	GULL WING	BALL	GULL WING	GULL WING
端子节距	0.5 mm	0.75 mm	0.5 mm	1.27 mm
端子位置	DUAL	BOTTOM	DUAL	DUAL
宽度	8 mm	6 mm	8 mm	10.16 mm
Factory Lead Time	8 weeks	-	8 weeks	8 weeks
Base Number Matches	1	1	1	-

推荐资源

IGBT安全工作区（SOA）: 失效器件送到原厂做FA分析，看到的字眼通常包含over voltage，over current，short circuit，EOS等，但是，其失效的深层原因与整机的应用环境和系统设计是密切相关的。 635613 图1.IGBT ......; qwqwqw2088 电源技术

网上找不STM32L的MDK，IAR模板啊！: 官方有提供数据手册，编程手册。MDK4.13也支持了STM32L，但是没有模板怎么用啊？不过我在MDK4.13里的BORD文件夹下找到STM32L的工程例子。还是不怎么放心。而且，现在STM32L似乎还买不到 ......; xiongyi6 stm32/stm8

[转载]DCS与PLC的区别和共通　: ○控制类产品名目繁多，各家叫法不一。通常使用的控制类产品包括DCS、PLC两大类。我们又将DCS的概念拓展到FCS。 DCS（Distributed Contorl System）集散控制系统，又称分布式控制系统。 PLC（Pr ......; totopper 工业自动化与控制

分享2021电赛题目预测: 本帖最后由 Jacktang 于 2021-8-26 15:59 编辑根据这次官方给出的元器件进行判断一下今年的题大致可能以哪种形式出现！先声明一下哈！所以只是想说一下想法，如果和最终赛题不一样，那 ......; Jacktang 机器人开发

LM3S8962板子学习一共同学习: 今天收到了板子。先熟悉学习。再做个毕来设计。有准备学习的兄弟可以给我留言，我们可以共同讨论共同进步。有问题记得在这里留言哟。本帖最后由 zhiha258 于 2011-1-21 16:52 编辑 ]...; zhiha258 微控制器 MCU

急！！（evc4.0＋ado3.1）create database 不成功: 程序段如下： hr=CLSIDFromProgID(g_szADOCE30ConnProgID,&tClsid); hr= CoCreateInstance(tClsid,NULL,CLSCTX_INPROC_SERVER|CLSCTX_LOCAL_SERVER,IID_Connection,(LPVOID*)&m_pADOCEConn) ......; kelian1213 嵌入式系统

STM32时钟系统之利用 systick 定时器来实现准确的延时

　　本篇文章带着大家来认识一下 STM32 的时钟系统，以及利用 systick 定时器来实现一个比较准确的延时。　　我们首先从时钟说起，时钟在MCU中的作用，就好比于人类的心脏一样不可或缺。STM32 的时钟相比 51 的单一时钟要复杂些，它有多个时钟源可以使用，那么大家可能会有所疑惑，STM32 的时钟搞的那么复杂干什么，原因其实在于，STM32的外设资源比起51来说，是很丰富的，那么不同...[详细]
单片机stm32串口分析

　　stm32作为现在嵌入式物联网单片机行业中经常要用多的技术，相信大家都有所接触，今天这篇就给大家详细的分析下有关于stm32的出口，还不是很清楚的朋友要注意看看了哦，在最后还会为大家分享有些关于stm32的视频资料便于学习参考。　　什么是串口　　UART : Universal Asynchronous Receiver/Transmitter 通用异步收发器　　USART : Uni...[详细]
EtherCAT FP介绍系列文章—多网段

EtherCAT（Ethernet for Control Automation Technology）是一种基于以太网的开发构架的实时工业现场总线通讯协议，EtherCAT是最快的工业以太网技术之一，同时它提供纳秒级精确同步。相对于设置了相同循环时间的其他总线系统，EtherCAT系统结构通常能减少25%-30%的CPU负载，EtherCAT的出现为系统的实时性能和拓扑的灵活性树立了新的标准。...[详细]
导轨回流焊与普通回流焊：为生产效率和质量选择最佳焊接方式

回流焊作为现代电子制造中常见的一种焊接方法，其主要目的是将焊盘、元件引脚和焊膏熔化，形成焊接点。随着技术的发展，焊接设备也在不断升级改良，其中就包括了导轨回流焊和普通回流焊。这两种方法各有优点，也存在各自的局限，所以说哪种更好并不是一个简单的问题，需要从多个角度进行评估。首先，我们来了解一下导轨回流焊。导轨回流焊机是在普通回流焊机的基础上，增加了导轨系统，使得焊接过程更为自动化，通常可以提...[详细]
一种蓝牙无线显示屏系统的设计方案

　　引言　　蓝牙技术是一种用于替代有线电缆的短距离无线通信技术。它是由多家公司发起的SIG组织制定的无线通信技术标准，目的是取代现有的PC、打印机、传真机、移动电话和家庭网关等设备上的有线接口，为个人提供语音数据和普通数据的无线传输。蓝牙设备的工作频段选在全世界范围内都可以自由使用的 2.4 GHz的ISM频段;成本低，功耗低，体积小，通信距离短，安全性高，能够同时传送普通数据和语音...[详细]
基于CPLD的LED点阵显示控制器设计

　　场可编程器件(FPGA和 CPLD )等ISP器件无须编程器，利用器件厂商提供的编程套件，采用自顶而下的模块化设计方法，使用原理图或硬件描述语言(VHDL)等方法来描述电路逻辑关系，可直接对安装在目标板上的器件编程。它易学、易用、简化了系统设计，减小了系统规模，缩短设计周期，降低了生产设计成本，从而给电子产品的设计和生产带来了革命性的变化。本文引用地址： https://www.eepw...[详细]
莱迪思将举办关于最新小型、低功耗FPGA创新的网络研讨会

中国上海——2025年8月26日——莱迪思半导体公司，低功耗可编程器件的领先供应商宣布，公司将举办网络研讨会，探讨其基于屡获殊荣的Lattice Nexus™ FPGA产品系列的小型FPGA的最新扩展。本次直播将对新推出的莱迪思Certus™-NX和莱迪思MachXO5™-NX FPGA器件进行深入的技术介绍，这些新拓展的器件提供了高I/O密度、低功耗和增强的安全功能。莱迪思专家还将介...[详细]
SK 海力士开始量产 321 层 QLC NAND 闪存

8 月 25 日消息，SK 海力士公司宣布其 321 层 2Tb QLC NAND 闪存产品已完成开发并正式投入量产。这一成果标志着全球首次实现超过 300 层的 QLC 技术应用，为 NAND 存储密度树立了新的标杆。该公司计划在完成全球客户验证后，于明年上半年正式推出该产品。为提升新产品的成本竞争力，SK 海力士开发了一种容量为 2Tb 的设备，其容量是现有解决方案的两倍。为应对大容量 N...[详细]
高阶辅助驾驶普及拐点已至，谁能占据智驾市场头筹？

在汽车智能化变革的浪潮中，高阶辅助驾驶正从前沿科技逐渐走进大众视野，成为行业竞争的新高地。2025年，被业内广泛视为高阶辅助驾驶普及的关键拐点，市场竞争愈发激烈，各大企业纷纷发力，试图在这片充满潜力的市场中抢占先机。近期，地平线HSD先锋体验日成为行业焦点，其发布的全新版本，以一段式端到端+强化学习技术为核心，基于征程6P强大的算力基座，为用户带来了前所未有的拟人辅助驾驶体验，被誉为“中国...[详细]
零基础学习STM32之入门学习路线

　　可以说就目前的市场需求来看，stm32在单片机领域已经拥有了绝对的地位，51什么的已经过时了也只能拿来打基础了，最后依然会转到stm32来，也正是因为这样stm32的学习者越来越多，其中不难发现绝大部分的stm32的学习者是在入门阶段的，所以今天我们就来聊聊stm32的入门学习路线。　　先来看个图，相信会有所了解。　　首先学习stm32 不管是C语言还是汇编肯定跑不了的所以C语言一...[详细]
STM32串口USART的使用方法和程序

通用同步异步收发器（USART）提供了一种灵活的方法来与使用工业标准NR 异步串行数据格式的外部设备之间进行全双工数据交换。 USART利用分数波特率发生器提供宽范围的波特率选择，支持同步单向通信和半双工单线通信。 1、STM32固件库使用外围设备的主要思路在STM32中，外围设备的配置思路比较固定。首先是使能相关的时钟，一方面是设备本身的时钟，另一方面如果设备通过IO口输出还需要使能IO口的...[详细]
“Wave”家电控制指环

引言　　智能家庭这一概念正在逐步发展并被市场接受。我们认为其终极形式在于所有家电的基于开放接口的互联互通，但基于目前的市场情况来看，各个家电厂商在开放接口方面表现的十分不积极。在这种环境下，一个通用的家电控制平台无疑是很有市场前景的。尤其是结合了体感手势控制技术以后，“Wave”家电控制指环将提供更加自然的用户体验，更容易被市场所接受。 1 系统设计　　“Wave”家电控制指环的主题最初...[详细]
利用麦克风数组抑制背景噪声

　　概述　　随着手持语音通信设备越来越流行，它们应用在嘈吵环境的机会也越来越高，例如机场、交通繁忙的路段、人多嘈杂的酒吧等。在这种嘈吵的环境下，通话的双方实在难以听清对方所说的话。　　此外，不少通信系统都是采用计算机运行的语音识别、指令及/或响应系统，这些系统均易受到背景噪声的影响，假如噪声过大，便会导致系统出现很大的偏差。因此，有必要改善语音信号对背景声音噪声的比率。　　本文将解释利用麦...[详细]
电动汽车是利用发动机来实现12V车载供电吗

电动汽车的12V蓄电池供电并不是依靠发电机，只有燃油动力汽车才会依靠发动机带动发电机在行驶中发电，其作用是为12V车载设备供电；用这种发电即时供电的原因是因为12V蓄电池的容量太小，而且不能依靠外接设备充电。而电动汽车有一组动辄50kwh左右的动力电池组，其容量是燃油动力汽车电池的50~100倍甚至更高，车载12V电子设备的耗电量与容量相比小到几乎可以忽略；而动力电池组可依靠220市电充电，所以...[详细]
是德科技携手新思科技运用AI进行射频设计迁移

是德科技将其电磁仿真器与新思科技的 AI 驱动射频设计迁移流程相结合，打造集成设计流程，助力从台积电 (TSMC) 的 N6RF+ 工艺技术迁移到 N4P 工艺技术。该迁移工作流程基于晶圆代工厂的模拟设计迁移 (ADM) 方法，旨在简化无源器件和设计组件的重新设计，使其符合先进的射频工艺规则。是德科技表示，该协作迁移工作流程充分利用了 N4P 工艺的性能提升，用于从 N6RF+ 迁移...[详细]

器件捷径: 00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W

热门器件

开源项目推荐更多

热门活动更多

热门文章更多

技术资料推荐更多