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MH1M18ANZ-12H

产品描述SRAM Module, 1MX18, 120ns, CMOS
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文件大小266KB,共8页
制造商Mitsubishi(日本三菱)
官网地址http://www.mitsubishielectric.com/semiconductors/
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MH1M18ANZ-12H概述

SRAM Module, 1MX18, 120ns, CMOS

MH1M18ANZ-12H规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
包装说明ZIP, ZIP76/80,.1,.1
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码3A991.B.2.A
最长访问时间120 ns
其他特性DECODER AVAILABLE
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-XZMA-T76
JESD-609代码e0
内存密度18874368 bit
内存集成电路类型SRAM MODULE
内存宽度18
功能数量1
端口数量1
端子数量76
字数1048576 words
字数代码1000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织1MX18
输出特性3-STATE
可输出YES
封装主体材料UNSPECIFIED
封装代码ZIP
封装等效代码ZIP76/80,.1,.1
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行PARALLEL
电源5 V
认证状态Not Qualified
最大待机电流0.00036 A
最小待机电流2 V
最大压摆率0.508 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距1.27 mm
端子位置ZIG-ZAG
Base Number Matches1
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