Dual 4-Input Positive-NAND Gates 14-CDIP -55 to 125
| 参数名称 | 属性值 |
| Brand Name | Texas Instruments |
| 是否无铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 零件包装代码 | DIP |
| 包装说明 | DIP, DIP14,.3 |
| 针数 | 14 |
| Reach Compliance Code | not_compliant |
| 其他特性 | LG_MAX |
| 系列 | ALS |
| JESD-30 代码 | R-GDIP-T14 |
| 长度 | 19.56 mm |
| 负载电容（CL） | 50 pF |
| 逻辑集成电路类型 | NAND GATE |
| 最大I（ol） | 0.004 A |
| 功能数量 | 2 |
| 输入次数 | 4 |
| 端子数量 | 14 |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 封装主体材料 | CERAMIC, GLASS-SEALED |
| 封装代码 | DIP |
| 封装等效代码 | DIP14,.3 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 电源 | 5 V |
| 最大电源电流（ICC） | 1.5 mA |
| Prop。Delay @ Nom-Sup | 12.5 ns |
| 传播延迟（tpd） | 11 ns |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 施密特触发器 | NO |
| 座面最大高度 | 5.08 mm |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | TTL |
| 温度等级 | MILITARY |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 7.62 mm |
| Base Number Matches | 1 |
| SN54ALS20AJ | JM38510/37003B2A | SN54AS20J | SNJ54AS20FK | |
|---|---|---|---|---|
| 描述 | Dual 4-Input Positive-NAND Gates 14-CDIP -55 to 125 | Dual 4-Input Positive-NAND Gates 20-LCCC -55 to 125 | AS SERIES, DUAL 4-INPUT NAND GATE, CDIP14, 0.300 INCH, CERAMIC, DIP-14 | Dual 4-Input Positive-NAND Gates 20-LCCC -55 to 125 |
| 是否无铅 | 含铅 | 含铅 | 含铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
| 零件包装代码 | DIP | QLCC | DIP | QLCC |
| 包装说明 | DIP, DIP14,.3 | HQCCN, | DIP, DIP14,.3 | QCCN, LCC20,.35SQ |
| 针数 | 14 | 20 | 14 | 20 |
| Reach Compliance Code | not_compliant | not_compliant | not_compliant | not_compliant |
| 系列 | ALS | ALS | AS | AS |
| JESD-30 代码 | R-GDIP-T14 | S-CQCC-N20 | R-GDIP-T14 | S-CQCC-N20 |
| 长度 | 19.56 mm | 8.89 mm | 19.56 mm | 8.89 mm |
| 逻辑集成电路类型 | NAND GATE | NAND GATE | NAND GATE | NAND GATE |
| 功能数量 | 2 | 2 | 2 | 2 |
| 输入次数 | 4 | 4 | 4 | 4 |
| 端子数量 | 14 | 20 | 14 | 20 |
| 最高工作温度 | 125 °C | 125 °C | 125 °C | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C | -55 °C | -55 °C | -55 °C |
| 封装主体材料 | CERAMIC, GLASS-SEALED | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | CERAMIC, GLASS-SEALED | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装代码 | DIP | HQCCN | DIP | QCCN |
| 封装形状 | RECTANGULAR | SQUARE | RECTANGULAR | SQUARE |
| 封装形式 | IN-LINE | CHIP CARRIER, HEAT SINK/SLUG | IN-LINE | CHIP CARRIER |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 传播延迟（tpd） | 11 ns | 12.5 ns | 5 ns | 5 ns |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 5.08 mm | 2.03 mm | 5.08 mm | 2.03 mm |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V |
| 表面贴装 | NO | YES | NO | YES |
| 技术 | TTL | TTL | TTL | TTL |
| 温度等级 | MILITARY | MILITARY | MILITARY | MILITARY |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | NO LEAD | THROUGH-HOLE | NO LEAD |
| 端子节距 | 2.54 mm | 1.27 mm | 2.54 mm | 1.27 mm |
| 端子位置 | DUAL | QUAD | DUAL | QUAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 7.62 mm | 8.89 mm | 7.62 mm | 8.89 mm |
| Brand Name | Texas Instruments | Texas Instruments | - | Texas Instruments |
| 负载电容（CL） | 50 pF | - | 50 pF | 50 pF |
| 最大I（ol） | 0.004 A | - | 0.02 A | 0.02 A |
| 封装等效代码 | DIP14,.3 | - | DIP14,.3 | LCC20,.35SQ |
| 电源 | 5 V | - | 5 V | 5 V |
| 最大电源电流（ICC） | 1.5 mA | - | 8.7 mA | 8.7 mA |
| Prop。Delay @ Nom-Sup | 12.5 ns | - | 5.5 ns | 5.5 ns |
| 施密特触发器 | NO | - | NO | NO |
| 厂商名称 | - | Texas Instruments(德州仪器) | Texas Instruments(德州仪器) | Texas Instruments(德州仪器) |
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