CD54HCT4351F/3A
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 包装说明 | DIP, DIP20,.3 |
| Reach Compliance Code | not_compliant |
| 模拟集成电路 - 其他类型 | SINGLE-ENDED MULTIPLEXER |
| JESD-30 代码 | R-XDIP-T20 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 信道数量 | 8 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 20 |
| 最大通态电阻 (Ron) | 270 Ω |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 封装主体材料 | CERAMIC |
| 封装代码 | DIP |
| 封装等效代码 | DIP20,.3 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 电源 | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 筛选级别 | 38535Q/M;38534H;883B |
| 最大信号电流 | 0.025 A |
| 最大供电电流 (Isup) | 0.32 mA |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | NO |
| 最长接通时间 | 75 ns |
| 切换 | BREAK-BEFORE-MAKE |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| Base Number Matches | 1 |
| CD54HCT4351F/3A | CD54HC4351F/3A | |
|---|---|---|
| 描述 | CD54HCT4351F/3A | CD54HC4351F/3A |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 |
| 包装说明 | DIP, DIP20,.3 | DIP, DIP20,.3 |
| Reach Compliance Code | not_compliant | not_compliant |
| 模拟集成电路 - 其他类型 | SINGLE-ENDED MULTIPLEXER | SINGLE-ENDED MULTIPLEXER |
| JESD-30 代码 | R-XDIP-T20 | R-XDIP-T20 |
| JESD-609代码 | e0 | e0 |
| 信道数量 | 8 | 8 |
| 功能数量 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 20 | 20 |
| 最大通态电阻 (Ron) | 270 Ω | 270 Ω |
| 最高工作温度 | 125 °C | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C | -55 °C |
| 封装主体材料 | CERAMIC | CERAMIC |
| 封装代码 | DIP | DIP |
| 封装等效代码 | DIP20,.3 | DIP20,.3 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE | IN-LINE |
| 电源 | 5 V | 2/6,GND/-6 V |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
| 筛选级别 | 38535Q/M;38534H;883B | 38535Q/M;38534H;883B |
| 最大信号电流 | 0.025 A | 0.025 A |
| 最大供电电流 (Isup) | 0.32 mA | 0.32 mA |
| 表面贴装 | NO | NO |
| 最长接通时间 | 75 ns | 300 ns |
| 切换 | BREAK-BEFORE-MAKE | BREAK-BEFORE-MAKE |
| 技术 | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY | MILITARY |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL | DUAL |
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