HC/UH SERIES, 8-BIT DRIVER, TRUE OUTPUT, CDIP20, METAL SEALED, CERAMIC, DIP-20
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 零件包装代码 | DIP |
| 包装说明 | DIP, DIP20,.3 |
| 针数 | 20 |
| Reach Compliance Code | not_compliant |
| JESD-30 代码 | R-XDIP-T20 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 负载电容（CL） | 50 pF |
| 逻辑集成电路类型 | D LATCH |
| 最大I（ol） | 0.00005 A |
| 位数 | 8 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 20 |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 封装主体材料 | CERAMIC |
| 封装代码 | DIP |
| 封装等效代码 | DIP20,.3 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 电源 | 5 V |
| Prop。Delay @ Nom-Sup | 29 ns |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 筛选级别 | 38535V;38534K;883S |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 总剂量 | 1M Rad(Si) V |
| Base Number Matches | 1 |
| HCS373DMSH | HCS373KMSH | |
|---|---|---|
| 描述 | HC/UH SERIES, 8-BIT DRIVER, TRUE OUTPUT, CDIP20, METAL SEALED, CERAMIC, DIP-20 | HC/UH SERIES, 8-BIT DRIVER, TRUE OUTPUT, CDFP20, METAL SEALED, CERAMIC, DFP-20 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 |
| 零件包装代码 | DIP | DFP |
| 包装说明 | DIP, DIP20,.3 | DFP, FL20,.3 |
| 针数 | 20 | 20 |
| Reach Compliance Code | not_compliant | not_compliant |
| JESD-30 代码 | R-XDIP-T20 | R-XDFP-F20 |
| JESD-609代码 | e0 | e0 |
| 负载电容（CL） | 50 pF | 50 pF |
| 逻辑集成电路类型 | D LATCH | D LATCH |
| 最大I（ol） | 0.00005 A | 0.00005 A |
| 位数 | 8 | 8 |
| 功能数量 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 20 | 20 |
| 最高工作温度 | 125 °C | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C | -55 °C |
| 输出特性 | 3-STATE | 3-STATE |
| 封装主体材料 | CERAMIC | CERAMIC |
| 封装代码 | DIP | DFP |
| 封装等效代码 | DIP20,.3 | FL20,.3 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE | FLATPACK |
| 电源 | 5 V | 5 V |
| Prop。Delay @ Nom-Sup | 29 ns | 29 ns |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
| 筛选级别 | 38535V;38534K;883S | 38535V;38534K;883S |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V |
| 表面贴装 | NO | YES |
| 技术 | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY | MILITARY |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | FLAT |
| 端子节距 | 2.54 mm | 1.27 mm |
| 端子位置 | DUAL | DUAL |
| 总剂量 | 1M Rad(Si) V | 1M Rad(Si) V |
| Base Number Matches | 1 | 1 |
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