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CMPF5485BK

产品描述RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Junction FET,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小48KB,共2页
制造商Central Semiconductor
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CMPF5485BK概述

RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Junction FET,

CMPF5485BK规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Codenot_compliant
配置SINGLE
最大漏极电流 (ID)0.03 A
FET 技术JUNCTION
最大反馈电容 (Crss)1 pF
最高频带ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码R-PDSO-G3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
工作模式DEPLETION MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)0.35 W
最小功率增益 (Gp)10 dB
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层TIN LEAD
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

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