Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> CMST2907ALEADFREE

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CMST2907ALEADFREE: 产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SUPERMINI-3; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小401KB，共2页; 制造商Central Semiconductor; 标准

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CMST2907ALEADFREE概述

Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SUPERMINI-3

CMST2907ALEADFREE规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数	3
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
最大集电极电流 (IC)	0.6 A
集电极-发射极最大电压	60 V
配置	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	100
JESD-30 代码	R-PDSO-G3
JESD-609代码	e3
湿度敏感等级	1
元件数量	1
端子数量	3
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	260
极性/信道类型	PNP
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子面层	Matte Tin (Sn)
端子形式	GULL WING
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	10
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
标称过渡频率 (fT)	200 MHz
最大关闭时间（toff）	100 ns
最大开启时间（吨）	45 ns
Base Number Matches	1

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CMST2907A

w w w. c e n t r a l s e m i . c o m

SURFACE MOUNT

PNP SILICON TRANSISTOR

DESCRIPTION:

The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMST2907A

type is a PNP silicon transistor manufactured by

the epitaxial planar process, epoxy molded in a

SUPERmini™ surface mount package, designed

for small signal, general purpose and switching

applications.

MARKING CODE: 2FC

SOT-323 CASE

MAXIMUM RATINGS:

(TA=25°C)

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Continuous Collector Current

Power Dissipation

Operating and Storage Junction Temperature

Thermal Resistance

SYMBOL

VCBO

VCEO

VEBO

TJ, Tstg

5.0

600

275

-65 to +150

455

UNITS

°C

°C/W

ELECTRICAL CHARACTERISTICS:

(TA=25°C unless otherwise noted)

SYMBOL

TEST CONDITIONS

MIN

ICBO

ICEV

BVCBO

BVCEO

BVEBO

VCE(SAT)

VBE(SAT)

hFE

VCB=50V

VCB=50V, TA=125°C

VCE=30V, VEB=0.5V

IC=10µA

IC=10mA

IE=10µA

IC=150mA, IB=15mA

IC=500mA, IB=50mA

IC=150mA, IB=15mA

IC=500mA, IB=50mA

VCE=10V, IC=0.1mA

VCE=10V, IC=1.0mA

VCE=10V, IC=10mA

VCE=10V, IC=150mA

VCE=10V, IC=500mA

VCE=20V, IC=50mA, f=100MHz

MAX

UNITS

µA

5.0

0.4

1.6

1.3

2.6

100

200

300

MHz

R4 (9-February 2010)

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