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CMPT404ATR

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 35V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, PLASTIC PACKAGE-3
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小322KB,共2页
制造商Central Semiconductor
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CMPT404ATR概述

Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 35V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, PLASTIC PACKAGE-3

CMPT404ATR规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)0.15 A
集电极-发射极最大电压35 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)100
JESD-30 代码R-PDSO-G3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)0.35 W
表面贴装YES
端子面层TIN LEAD
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用CHOPPER
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

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CMPT404A
SURFACE MOUNT
PNP SILICON
CHOPPER TRANSISTOR
w w w. c e n t r a l s e m i . c o m
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPT404A type is
an PNP silicon transistor manufactured by the epitaxial
planar process, epoxy molded in a surface mount
package, designed for chopper applications.
MARKING CODE: C2N
SOT-23 CASE
MAXIMUM RATINGS:
(TA=25°C)
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Continuous Collector Current
Power Dissipation
Operating and Storage Junction Temperature
Thermal Resistance
ELECTRICAL
SYMBOL
ICBO
IEBO
BVCBO
BVCEO
BVEBO
VCE(SAT)
VCE(SAT)
VBE(SAT)
VBE(SAT)
hFE
Cob
td
tr
ts
tf
SYMBOL
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PD
TJ, Tstg
Θ
JA
40
35
25
150
350
-65 to +150
357
UNITS
V
V
V
mA
mW
°C
°C/W
CHARACTERISTICS:
(TA=25°C unless otherwise noted)
TEST CONDITIONS
MIN
TYP
VCB=10V
VEB=10V
IC=10µA
IC=10mA
IE=10µA
IC=12mA,
IC=24mA,
IC=12mA,
IB=400µA
IB=1.0mA
IB=400µA
100
40
150
400
3.0
750
40
35
25
MAX
100
100
UNITS
nA
nA
V
V
V
0.15
0.20
0.85
1.00
400
V
V
V
V
pF
ns
ns
µs
ns
IC=24mA, IB=1.0mA
VCE=0.15V, IC=12mA
VCB=6.0V, IE=0, f=1.0MHz
VCC=10V, IC=10mA, IB1=1.0mA
VCC=10V, IC=10mA, IB1=1.0mA
VCC=10V, IC=10mA, IB1=IB2=1.0mA
VCC=10V, IC=10mA, IB1=IB2=1.0mA
R3 (27-January 2010)

CMPT404ATR相似产品对比

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描述 Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 35V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, PLASTIC PACKAGE-3 Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 35V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, PLASTIC PACKAGE-3 Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 35V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, PLASTIC PACKAGE-3 Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 35V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, PLASTIC PACKAGE-3
是否Rohs认证 不符合 符合 不符合 符合
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code not_compliant compliant not_compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
最大集电极电流 (IC) 0.15 A 0.15 A 0.15 A 0.15 A
集电极-发射极最大电压 35 V 35 V 35 V 35 V
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 100 100 100 100
JESD-30 代码 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3
JESD-609代码 e0 e3 e0 e3
元件数量 1 1 1 1
端子数量 3 3 3 3
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
极性/信道类型 PNP PNP PNP PNP
表面贴装 YES YES YES YES
端子面层 TIN LEAD Matte Tin (Sn) TIN LEAD Matte Tin (Sn)
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL
晶体管应用 CHOPPER CHOPPER CHOPPER CHOPPER
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON
是否无铅 含铅 - 含铅 不含铅
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED 260
最大功率耗散 (Abs) 0.35 W 0.35 W 0.35 W -
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED 10
Base Number Matches 1 1 1 -
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