LD 261
GaAs-IR-Lumineszenzdiode
GaAs Infrared Emitter
LD 261
Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale
q
GaAs-IR-Lumineszenzdiode, hergestellt im
Schmelzepitaxieverfahren
q
Hohe Zuverlässigkeit
q
Gruppiert lieferbar
q
Gehäusegleich mit BPX 81
Anwendungen
q
Miniaturlichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
q
Lochstreifenleser
q
Industrieelektronik
q
“Messen/Steuern/Regeln”
Features
q
GaAs infrared emitting diode, fabricated in a
liquid phase epitaxy process
q
High reliability
q
Available in groups
q
Same package as BPX 81
Applications
q
Miniature light-reflecting switches for steady
and varying intensity
q
Punched tape readers
q
Industrial electronics
q
For control and drive circuits
Typ
Type
LD 261
LD 261-4
1)
LD 261-5
Bestellnummer
Ordering Code
Q62703-Q395
Q62703-Q66
Q62703-Q67
Gehäuse
Package
Leiterbandgehäuse, klares Epoxy-Gieβharz, linsenför-
mig im 2.54-mm-Raster (
1
/
10
’’), Kathodenkennzeich-
nung: Nase am Lötspieβ
Lead frame, transparent epoxy resin lens, solder tabs
lead spacing 2.54 mm (
1
/
10
’’), cathode marking: projec-
tion at solder lead
1)
1)
Nur auf Anfrage lieferbar.
Available only on request.
Semiconductor Group
522
10.95
feo06021
LD 261
Grenzwerte
(T
A
= 25
o
C)
Maximum Ratings
Bezeichnung
Description
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
Sperrschichttemperatur
Junction temperature
Sperrspannung
Reverse voltage
Durchlaβstrom
Forward current
Stoβstrom,
τ ≤
10
µs,
D
= 0
Surge current
Verlustleistung
Power dissipation
Wärmewiderstand
Thermal resistance
Symbol
Symbol
T
op
;
T
stg
T
j
V
R
I
F
I
FSM
P
tot
R
thJA
R
thJL
Wert
Value
– 40 ... + 80
80
5
50
1.6
70
750
650
Einheit
Unit
o
C
o
C
V
mA
A
mW
K/W
K/W
Kennwerte
(T
A
= 25
o
C)
Characteristics
Bezeichnung
Description
Wellenlänge der Strahlung
Wavelength at peak emission
I
F
= 50 mA,
t
p
= 20 ms
Spektrale Bandbreite bei 50 % von
I
max
Spectral bandwidth at 50 % of
I
max
I
F
= 50 m A,
t
p
= 20 ms
Abstrahlwinkel
Half angle
Aktive Chipfläche
Active chip area
Abmessungen der aktiven Chipfläche
Dimension of the active chip area
Abstand Chipoberfläche bis Linsenscheitel
Distance chip surface to lens top
Symbol
Symbol
λ
peak
Wert
Value
950
Einheit
Unit
nm
∆λ
55
nm
ϕ
A
L
x
B
L
x
W
H
±30
0.25
0.5 x 0.5
1.3 ... 1.9
Grad
deg.
mm
2
mm
mm
Semiconductor Group
523
LD 261
Kennwerte
(T
A
= 25
o
C)
Characteristics
Bezeichnung
Description
Schaltzeiten,
I
e
von 10 % auf 90 % und von
90 % auf 10 %, bei
I
F
= 50 mA,
R
L
= 50
Ω
Switching times,
I
e
from 10 % to 90 % and
from 90 % to 10 %,
I
F
= 50 mA,
R
L
= 50
Ω
Kapazität,
V
R
= 0 V
Capacitance
Durchlaβspannung
Forward voltage
I
F
= 50 mA,
t
p
= 20
µs
Sperrstrom,
V
R
= 5 V
Reverse current
Gesamtstrahlungsfluβ
Total radiant flux
I
F
= 50 mA,
t
p
= 20 ms
Temperaturkoeffizient von
I
e
bzw.
Φ
e
,
I
F
= 50 mA
Temperature coefficient of
I
e
or
Φ
e
,
I
F
= 50 mA
Temperaturkoeffizient von
V
F
, I
F
= 50 mA
Temperature coefficient of
V
F
, I
F
= 50 mA
Temperaturkoeffizient von
λ
peak
,
I
F
= 50 mA
Temperature coefficient of
λ
peak
,
I
F
= 50 mA
Symbol
Symbol
t
r
,
t
f
Wert
Value
1
Einheit
Unit
µs
C
o
40
pF
V
F
I
R
Φ
e
1.25
(≤
1.4)
0.01
(≤
1)
9
V
µA
mW
TC
I
– 0.55
%/K
TC
V
TC
λ
– 1.5
0.3
mV/K
nm/K
Gruppierung der Strahlstärke
I
e
in Achsrichtung
gemessen bei einem Raumwinkel
Ω
= 0.01 sr
Grouping of radiant intensity
I
e
in axial direction
at a steradian of
Ω
= 0.01 sr
Bezeichnung
Description
Strahlstärke
Radiant intensity
I
F
= 50 mA,
t
p
= 20 ms
1)
1)
Symbol
Werte
Values
LD 261
LD 261-5
Einheit
Unit
I
e
2 ... 6.3
3.2 ... 6.3
mW/sr
Nur auf Anfrage lieferbar.
Available only on request.
Semiconductor Group
524
LD 261
Relative spectral emission
I
rel
=
f
(λ)
Radiant intensity
I
e
-------------------- =
f
(
I
F
)
I
e
100
mA
Single pulse,
t
p
= 20
µ
s
Max. permissible forward current
I
F
=
f
(T
A
)
Forward current
I
F
=
f
(V
F
), single pulse,
t
p
= 20
µ
s
Permissible pulse handling capability
I
F
=
f
(
τ
),
T
C
= 25
o
C,
duty cycle
D
= parameter
Radiation characteristics
I
rel
=
f
(ϕ)
Semiconductor Group
525
stm32/stm8
京公网安备 11010802033920号
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